[发明专利]数据写入方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备

说明书

本发明公开一种数据写入方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，数据写入方法包括接收数据写入请求，根据所述数据写入请求将待写入的数据同时写入闪存中预先组合的SLC块和MLC块，在数据写入过程中，更新写入的数据的物理地址为所述写入的数据对应的SLC地址；待所述预先组合的SLC块和MLC块的数据写入完成后，根据所述写入的数据对应的SLC地址确定所述写入的数据对应的MLC地址，并更新所述写入的数据的物理地址为所述MLC地址；释放写入所述SLC块的数据及所述SLC块与所述MLC块的组合关系；在减少数据的总体写入时间的同时减少了对存储空间的消耗，提高了存储性能的稳定性。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种数据写入方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备。

背景技术

当前闪存数据的写入方法的一般流程如下：先将待写入的数据写入闪存的SLC(single-level cell，单层单元)块，接着读取SLC块中写入的数据，将读取的数据写入MLC(multi-level cell，双层单元)块，最后系统修改对应的存储映射表，擦除SLC块中的数据。由于这种写入方法需要进行SLC块中的数据到MLC块的搬移，影响了闪存数据的写入速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种数据写入方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，提高闪存数据的写入速度。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种数据写入方法，包括步骤：

接收数据写入请求，根据所述数据写入请求将待写入的数据同时写入闪存中预先组合的SLC块和MLC块，在数据写入过程中，更新写入的数据的物理地址为所述写入的数据对应的SLC地址；

待所述预先组合的SLC块和MLC块的数据写入完成后，根据所述写入的数据对应的SLC地址确定所述写入的数据对应的MLC地址，并更新所述写入的数据的物理地址为所述MLC地址；

释放写入所述SLC块的数据及所述SLC块与所述MLC块的组合关系。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种数据写入装置，包括：

数据写入模块，用于接收数据写入请求，根据所述数据写入请求将待写入的数据同时写入闪存中预先组合的SLC块和MLC块，在数据写入过程中，更新写入的数据的物理地址为所述写入的数据对应的SLC地址；

地址更新模块，用于待所述预先组合的SLC块和MLC块的数据写入完成后，根据所述写入的数据对应的SLC地址确定所述写入的数据对应的MLC地址，并更新所述写入的数据的物理地址为所述MLC地址；

释放模块，用于释放写入所述SLC块的数据及所述SLC块与所述MLC块的组合关系。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述数据写入方法中的各个步骤。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述数据写入方法中的各个步骤。