[发明专利]MEMS振动式陀螺仪结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010597572.8 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111551161A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 李磬 申请(专利权)人: 江苏睦荷科技有限公司
主分类号: G01C19/5621 分类号: G01C19/5621;G01C19/5628
代理公司: 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 代理人: 张悦
地址: 214000 江苏省无锡市滨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: mems 振动 陀螺仪 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:包括盖板硅片(10)、结构硅片(9)和衬底硅片(6),盖板硅片(10)、结构硅片(9)和衬底硅片(6)自上而下逐层布置组成带有真空腔体的结构,所述结构硅片(9)上安装有器件,所述器件包括两个质量块(1)、四个驱动框(2)、四个检测框(3)、若干弹性连接梁(5)、锚点(4)、驱动电极、检测电极(3a)和功能电极(21),两个质量块(1)左右对称布置,两个质量块(1)之间通过一对弹性连接梁(5)连接,质量块(1)四周的弹性连接梁(5)连接于周围的锚点(4),并通过锚点(4)固定在结构硅片(9)上;驱动框(2)和检测框(3)的与质量块(1)通过弹性梁连接,驱动框(2)和检测框(3)外侧分别通过弹性梁连接于锚点(4),并通过锚点(4)固定在结构硅片(9)上;驱动电极位于驱动框(2)的区域,检测电极(3a)位于检测框(3)的区域,功能电极(21)位于驱动框(2)或其他位置,驱动电极、检测电极(3a)和功能电极(21)由可动电极和固定电极组成;陀螺仪整体结构中除锚点(4)和固定电极外,其余结构均为悬空可动结构。

2.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述质量块(1)是由多个长方体拼接而成的多边形柱体。

3.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述功能电极(21)是驱动检测电极(2b)、频率调谐电极和正交补偿电极(2a)中一种或多种。

4.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述驱动电极、检测电极(3a)和功能电极(21)均为梳齿状电极。

5.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述弹性连接梁(5)是U形梁、折叠梁或者蟹脚梁。

6.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述驱动框(2)与检测框(3)分别位于两个质量块(1)四周并且中心轴对称布置。

7.根据权利要求1所述的MEMS振动式陀螺仪,其特征在于:所述驱动框(2)与质量块(1)之间的弹性连接梁(5)以驱动框(2)的对称轴对称分布或位于对称轴处,弹性连接梁(5)数目为一个或多个,驱动框(2)与锚点(4)之间的弹性连接梁(5)位于驱动框(2)的两端对称布置或位于驱动框(2)的对称轴处,弹性连接梁(5)数目为一个或多个;位于检测框(3)与质量块(1)之间的弹性连接梁(5)以检测框(3)的对称轴对称分布或位于对称轴处,弹性连接梁(5)数目为一个或多个,检测框(3)与锚点(4)之间的弹性连接梁(5)位于检测框(3)的两端对称布置或位于检测框(3)的对称轴处,弹性连接梁(5)数目为一个或多个。

8.一种权利要求1-7任一项所述MEMS振动式陀螺仪的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1、提供衬底硅片(6),在衬底硅片(6)上采用深反应离子刻蚀的方法在衬底硅片(6)的正面刻蚀出带有支撑柱(7)的凹腔结构;

S2、采用热氧化或是化学气相沉积的方法在衬底硅片(6)正面和背面沉积一层氧化硅;

S3、提供结构硅片(9),器件安装结构硅片(9)上,将结构硅片(9)作为陀螺仪器件层,采用圆片级真空键合技术将结构硅片(9)与衬底硅片(6)正面对准键合;

S4、在结构硅片(9)上进行图案化光刻和刻蚀,刻蚀出陀螺仪的结构;

S5、准备盖板硅片(10),在盖板硅片(10)的正面刻蚀出凹腔结构,之后通过热氧化或是气相沉积的方法在盖板硅片(10)的正面沉积一层氧化硅层(8);

S6、将盖板硅片(10)正面与结构硅片(9)另一侧进行圆片级对准键合;

S7、在盖板硅片(10)背面采用湿法腐蚀或深反应离子刻蚀出电极引出通孔(11),并在整个背面沉积一层氧化硅层(8);

S8、刻蚀掉电极引出通孔(11)位置处的氧化硅层(8);

S9、在盖板硅片(10)上沉积一层金属层(12),并将金属层(12)图形化,完成电学布线,制作金属焊盘,制作完成MEMS陀螺仪器件结构的同时,实现了器件的圆片级真空封装。

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