[发明专利]受光元件和电子设备

权利要求书

1.一种受光元件，其包括：

第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；

第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；

光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；

第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的第一电荷传输至第一浮动扩散区域；以及

第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的第二电荷传输至第二浮动扩散区域，

其中，所述多层配线层包括：

第一配线层，

其中，所述第一配线层包括：连接到所述第一传输晶体管的第一栅极的第一配线、连接到所述第二传输晶体管的第二栅极的第二配线，以及遮光构件。

2.根据权利要求1所述的受光元件，其中，所述第一配线层设置为比所述多层配线层中包括的第二配线层更靠近所述半导体层。

3.根据权利要求1所述的受光元件，其中，在所述多层配线层中，所述第一配线层最靠近所述半导体层。

4.根据权利要求1所述的受光元件，其还包括：

配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层相同的配线层中。

5.根据权利要求1所述的受光元件，其还包括：

配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层不同的层中，并且

其中，所述配线电容器设置为比所述第一配线层更远离所述半导体层。

6.根据权利要求1所述的受光元件，其还包括：

金属氧化物膜，所述金属氧化物膜设置在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部中，并且设置在所述半导体层的位于所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间的光接收表面处。

7.根据权利要求6所述的受光元件，其还包括：

金属膜，所述金属膜设置在所述金属氧化物膜上方，其中，所述金属膜设置在所述第一沟槽部以及所述第二沟槽部上方，以及

有机材料，所述有机材料设置在所述金属氧化物膜和所述金属膜上方。

8.根据权利要求7所述的受光元件，

其中，所述有机材料包括树脂。

9.根据权利要求7所述的受光元件，

其中，所述半导体层被配置为接收红外光。

10.根据权利要求1所述的受光元件，

其中，所述遮光构件包括铜。

11.一种电子设备，其包括应用处理单元、发光单元以及根据权利要求1所述的受光元件，

其中，所述发光单元被配置为向物体发射光，

其中，所述受光元件被配置为接收由所述物体反射的光并且根据到所述物体的距离输出数据，并且

其中，所述应用处理单元被配置为根据所述数据执行处理。

12.一种受光元件，其包括：

第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；

第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；

光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；

第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的第一电荷传输至第一浮动扩散区域；以及

第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的第二电荷传输至第二浮动扩散区域，

其中，所述多层配线层包括：

遮光构件，

其中，所述遮光构件在平面图中不与所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极重叠。