[发明专利]半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室设置有用于承载晶片的基座，反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；上电极包括介质窗和电极壳体，电极壳体包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与腔室本体相连接，第一壳体套装于第二壳体，第二壳体可相对于第一壳体移动；驱动机构设置于第一壳体上，且与第二壳体相连接，用于驱动第二壳体远离或靠近基座；介质窗设置于第二壳体中，介质窗可随第二壳体远离或靠近基座。上述方案能解决半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，从而造成半导体工艺设备的加工效率较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备。

背景技术

半导体刻蚀设备(刻蚀机)是半导体制造过程中的一种重要的半导体工艺设备。相关技术中，刻蚀机的介质窗底面(或进气喷嘴底面)到晶片上表面的距离为腔室GAP值，在不同的加工工艺中，腔室GAP(工艺间隙)值相差较大，因此刻蚀机需要更换不同的调整支架，以调整介质窗底面(或进气喷嘴底面)至晶片上表面的距离，从而能够满足不同工艺所适合的腔室GAP值。

当调整腔室GAP值时，需要将腔室打开，然后在更换调整支架，然而，半导体工艺设备的反应腔室为真空条件，因此需要先对半导体工艺设备的反应腔室进行处理后才能开腔，从而导致调整支架更换步骤复杂，致使半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，进而影响半导体工艺设备的加工效率。

发明内容

本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，以解决半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，从而造成半导体工艺设备的加工效率较差的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座，所述反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；

所述上电极包括介质窗和电极壳体，所述电极壳体包括第一壳体和第二壳体，所述第一壳体与所述腔室本体相连接，所述第一壳体套装于所述第二壳体，所述第二壳体可相对于所述第一壳体移动；

所述驱动机构设置于所述第一壳体上，且与所述第二壳体相连接，用于驱动所述第二壳体远离或靠近所述基座；

所述介质窗设置于所述第二壳体中，所述介质窗可随所述第二壳体远离或靠近所述基座。

一种半导体工艺设备，包括上述反应腔室。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的半导体工艺设备的反应腔室中，驱动机构设置于第一壳体上，且驱动机构与第二壳体相连接，驱动机构能够驱动第二壳体远离或靠近基座，介质窗设置于第二壳体中，因此介质窗可以随着第二壳体远离或靠近基座，进而可以调节介质窗底面至晶片上表面之间的距离，从而实现腔室GAP值的调节。此方案中，电极壳体为两层结构，并且两层结构可以相对移动，进而使得反应腔室无需开腔即可实现对腔室GAP值的调整，进而使得半导体工艺设备在更换加工工艺时，腔室GAP值调整方便，所花费的时间较短，进而提高半导体工艺设备的加工效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的反应腔室的剖视图；

图2为本发明实施例公开的反应腔室的俯视图；

图3为本发明实施例公开的反应腔室的局部示意图；

图4～图6为本发明实施例公开的反应腔室的部分结构剖视图；

图7为本发明实施例公开的反应腔室中，第二壳体的结构示意图；