[发明专利]一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法在审
| 申请号： | 202010593839.6 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111798902A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 裴永航;高美洲 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26;G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 获得 电荷 俘获 nand 闪存 信息 方法 | ||
1.一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、根据不同的硬解码电压进行I次硬读取、I次硬解码，I为正整数，获取硬解码结果，如果存在一次硬解码成功，返回读取成功，否则，进入下一步；S02）、根据不同的软解码电压进行J次软读取，根据读取结果生成软信息序列P0[n]，进行LDPC软解码，如果软解码成功，返回读取成功，否则，进入下一步；S03）、读取上下相邻存储单元的cell信息，结合步骤S02中的N次读取数据，生成软信息序列P1[n]，进行LDPC软解码，如果解码成功，返回读取成功，否则返回读取失败。
2.根据权利要求1所述的获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，其特征在于：J次软读取得到的结果为Z_soft_0[n]、Z_soft_1[n]、Z_soft_2[n]……Z_soft_(J-1)[n]，读取的上下相邻存储单元的cell信息为Q_neibor[n]，通过offline NAND测试统计得到表1、表2，表1为Z_soft_0[n]、Z_soft_1[n]、Z_soft_2[n]……Z_soft_(J-1)[n]与P0[n]的映射关系表，表2为Z_soft_0[n]、Z_soft_1[n]、Z_soft_2[n]……Z_soft_(J-1)[n]、Q_neibor[n]与P1[n]的映射关系表，通过查表确定软信息序列P0[n]、P1[n]。
3.根据权利要求2所述的获得电荷俘获型3D NAND 闪存软信息的方法，其特征在于：软信息序列为4bit精度时，P0[n]、P1[n]的取值区间为[-7,-6,-5,……,5,6,7]。
4.根据权利要求2所述的获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，其特征在于：软信息序列为5bit精度时，P0[n]、P1[n]的取值区间为[-15,-14,-13,……13,14,15]。
5.根据权利要求1所述的获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，其特征在于：根据需求，步骤S02重复执行1至3次。
6.根据权利要求1所述的获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，其特征在于：1≤I≤10，2≤J≤5。
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