[发明专利]一种掺杂荧光材料的背电极和光伏组件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010593756.7 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111477752A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 杨文华
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 掺杂 荧光 材料 电极 组件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种掺杂荧光材料的背电极,其特征在于,背电极为碳电极,在制备碳电极的碳浆原料中掺杂有荧光材料,荧光材料占碳电极原料中含碳材料总量的0.05wt%~20wt%,荧光材料包括无机荧光材料或有机荧光材料,含碳材料包括炭黑粉、石墨粉或碳纳米管中至少一种。

2.如权利要求1所述的掺杂荧光材料的背电极,其特征在于,所述无机荧光材料包括钙钛矿量子点材料或无机发光量子点,所述有机荧光材料包括恶二唑及其衍生物类、三唑及其衍生物类、罗丹明及其衍生物类、香豆素类衍生物、1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物、卟啉类化合物、咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物、苝类衍生物中任意一种。

3.如权利要求2所述的掺杂荧光材料的背电极,其特征在于,所述荧光材料包括MAPbX3、FAPbX3、CsPbX3、CsSnX3、MA3Bi2X9、Cs3Sb2X9、Cs2AgSbX6、Cs3Bi2X9、CdS、CdSe、Ag2Se、CdTe、CdSeTe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/CsS、CdSe/ZnSe、CdS/CsS、CdS/ZnSe中任意一种,其中,X为Cl-、Br-或I-

4.一种如权利要求1至3中任意一项所述的掺杂荧光材料的背电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

将质量比为3:1:6的石墨粉、炭黑粉和松油醇混合均匀,在常温下搅拌2h,随后将体积比为10:1的钛酸四异丙酯和冰醋酸加入以上混合体系中,继续搅拌24h后,再向混合体系中加入0.05wt%~20wt%的荧光材料,搅拌均匀后,得到掺杂有荧光材料的碳浆原料,将碳浆原料涂敷或印刷在基底表面,在70℃下干燥0.5h~2h后,冷却至室温即得到背电极。

5.一种光伏组件,其特征在于,其内部结构包括电子传输层、阻挡层、钙钛矿吸光层和背电极,在其内部结构中不含空穴传输层,其中,所述背电极采用如权利要求1至3中任意一项所述的掺杂荧光材料的背电极。

6.一种光伏组件,其特征在于,其内部结构包括电子传输层、阻挡层、背电极和吸光层,在其内部结构中不含空穴传输层,其中,所述背电极使用如权利要求4所述的掺杂荧光材料的背电极的制备方法制备的背电极。

7.一种如权利要求5或6所述的光伏组件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一、在透明导电基底上依次制备电子传输层和阻挡层,在阻挡层上印刷一层掺杂荧光材料的碳浆原料,在70℃下干燥0.5h~2h后,冷却至室温,制成掺杂荧光材料的背电极;

步骤二、在背电极表面制备吸光层,最后得到无空穴传输层结构的光伏组件。

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