[发明专利]一种立式气相反应炉有效
| 申请号: | 202010591259.3 | 申请日: | 2020-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN111710631B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
| 发明(设计)人: | 杨帅;杨慧萍 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 马骥 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 立式 相反 | ||
1.一种立式气相反应炉,其特征在于,包括外壳、第一供气结构和第二供气结构,所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间,所述反应空间内存在亏气区,所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通,所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体;
所述第一供气结构包括多个第一供气开口,所述第一供气开口设置于所述反应空间的顶部;所述第二供气结构包括多个第二供气开口,所述第二供气开口沿所述外壳的周向排布;
至少部分所述第二供气开口与所述亏气区对应设置,以覆盖所述亏气区。
2.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,还包括配合供气组件,所述配合供气组件包括供气围壁和供气喷嘴,所述供气围壁套设于所述外壳的外部且所述供气围壁的上端和下端与所述外壳密闭连接,所述供气围壁与所述外壳的侧壁共同围成供气环腔,所述第二供气开口位于所述供气环腔内,所述第二供气开口与所述供气环腔相互连通,所述供气喷嘴由外界穿入所述供气环腔内。
3.如权利要求2所述的立式气相反应炉,其特征在于,所述供气喷嘴设置为多个,多个所述供气喷嘴自所述供气围壁的下端穿入所述供气环腔。
4.如权利要求2或3所述的立式气相反应炉,其特征在于,多个所述供气喷嘴沿所述外壳的周向均匀排布,所述供气喷嘴的开口方向均为水平方向上的顺时针方向或者逆时针方向。
5.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,所述第二供气结构内的所述第二供气开口的内径自上而下依次减小。
6.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,还包括反应物支架和隔热支架,所述反应物支架及所述隔热支架与所述外壳在周向上均具备间隙,所述反应物支架与所述隔热支架自上至下依次设置,所述反应物支架通过所述隔热支架与所述外壳的底部隔开。
7.如权利要求6所述的立式气相反应炉,其特征在于,还包括出气开口,所述隔热支架包括多层第一隔热板和多层第二隔热板,所述第一隔热板均设置于所述第二隔热板的上方,所述第二隔热板的周向尺寸小于所述第一隔热板的周向尺寸;所述出气开口开设于所述外壳且设置于所述第二供气开口的下方,位于最下层的所述第一隔热板在竖直方向上与所述出气开口之间的高度差最小为10mm。
8.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,所述外壳由石英制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





