[发明专利]制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：

在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区；

在所述基板上形成间隔物层，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区；以及

蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成所述第一鳍型有源区上的第一凹陷、所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物，所述第一鳍绝缘间隔物是所述间隔物层的第一剩余部分，该第一剩余部分覆盖所述第一凹陷下面的所述第一鳍型有源区的侧壁。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻中，所述第二凹陷下面的所述第二鳍型有源区的侧壁在所述第一鳍绝缘间隔物的形成期间被暴露。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻中，在所述第一鳍绝缘间隔物的形成期间还形成第二鳍绝缘间隔物，所述第二鳍绝缘间隔物覆盖所述第二凹陷下面的所述第二鳍型有源区的侧壁。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二鳍绝缘间隔物的高度小于所述第一鳍绝缘间隔物的高度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一凹陷的深度小于所述第二凹陷的深度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括干蚀刻和湿清洁，所述干蚀刻和所述湿清洁按此陈述的次序被执行。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻还在所述干蚀刻之后，在所述湿清洁之前，包括用于损坏所述间隔物层的至少一部分的预处理。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻还在所述干蚀刻之后，在所述湿清洁之前，包括施加等离子体至所述间隔物层的至少一部分，所述等离子体由包括CF₄、O₂、He、HBr、NF₃、Ar、Cl₂、N₂、CH₃F、CH₄或者其组合的气体获得。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻还在所述干蚀刻之后，在所述湿清洁之前，包括注入离子至所述间隔物层的至少一部分内，所述离子由包括Ge、BF₂、As或其组合的气体获得。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔物层包括SiOCN、SiCN或其组合。

11.一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：

在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区和第一器件隔离层以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区和第二器件隔离层，所述第一器件隔离层覆盖所述第一鳍型有源区的两个下部侧壁，所述第二器件隔离层覆盖所述第二鳍型有源区的两个下部侧壁；

在所述第一器件隔离层上形成第一虚设栅极结构以及在所述第二器件隔离层上形成第二虚设栅极结构，所述第一虚设栅极结构覆盖所述第一鳍型有源区，所述第二虚设栅极结构覆盖第二鳍型有源区；

形成间隔物层，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区、所述第二鳍型有源区、所述第一虚设栅极结构和所述第二虚设栅极结构；以及

蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成第一栅极绝缘间隔物、第二栅极绝缘间隔物、在所述第一鳍型有源区上的第一凹陷、在所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物，所述第一栅极绝缘间隔物包括所述间隔物层的第一部分并覆盖所述第一虚设栅极结构的两个侧壁，所述第二栅极绝缘间隔物包括所述间隔物层的第二部分并覆盖所述第二虚设栅极结构的两个侧壁，并且所述第一鳍绝缘间隔物包括所述间隔物层的第三部分并覆盖所述第一鳍型有源区的在所述第一器件隔离层和所述第一凹陷之间的侧壁。