[发明专利]一种处理单体化合物用的研磨装置

说明书

本发明公开了一种处理单体化合物用的研磨装置，包括底板，所述底板的上端固定安装有两组一号气缸，所述一号气缸的上端设置有一号伸缩杆，所述一号伸缩杆的上端固定安装有两组一号连接杆，所述一号连接杆上固定安装有支撑板，所述支撑板的内部套接固定安装有研磨主体。本发明能够对移动到一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗各自上方的单体化合物进行研磨，在电机的作用下进行三次研磨，单体化合物在经过三次研磨后，研磨效果更好，相比现有的研磨装置更加有效，提高了单体化合物的研磨效率，能够对该研磨装置的研磨过程进行减震，接着研磨后的单体化合物通过接料斗进行接料排出，完成整个研磨过程。

技术领域

本发明涉及研磨装置领域，特别涉及一种处理单体化合物用的研磨装置。

背景技术

单体是能与同种或他种分子聚合的小分子的统称，是能起聚合反应或缩聚反应等而成高分子化合物的简单化合物，是合成聚合物所用的低分子的原料，单体一般是不饱和的、环状的或含有两个或多个官能团的低分子化合物，研磨装置是将例如大颗粒单体化合物一类的物质加工成小颗粒物质的装置，广泛应用于化工或者医药领域；

现有的研磨装置在使用时存在一定的弊端，首先，现有的研磨装置研磨过程相对单一，只进行一次简单的研磨，研磨效果不好，且研磨时需要借助外界筛板进行过滤，再对过滤后的单体化合物进行研磨，无法一次研磨成型，研磨效率低下，其次，现有的研磨装置上设置的减震装置虽然带来了一定的减震效果，但是固定在研磨装置上，增加了研磨装置的质量和维修成本，并且减震效果不佳，无法通过不同方向实现减震缓冲，给人们的使用过程带来了一定的影响，为此，我们提出一种处理单体化合物用的研磨装置。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种处理单体化合物用的研磨装置，可以有效解决背景技术中现有的研磨装置研磨过程相对单一，只进行一次简单的研磨，研磨效果不好，且研磨时需要借助外界筛板进行过滤，再对过滤后的单体化合物进行研磨，无法一次研磨成型，研磨效率低下，其次，现有的研磨装置上设置的减震装置增加了研磨装置的质量和维修成本，并且减震效果不佳的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种处理单体化合物用的研磨装置，包括底板，所述底板的上端固定安装有两组一号气缸，所述一号气缸的上端设置有一号伸缩杆，所述一号伸缩杆的上端固定安装有两组一号连接杆，所述一号连接杆上固定安装有支撑板，所述支撑板的内部套接固定安装有研磨主体，所述研磨主体的内壁由下到上等间距固定安装有三组安装块，三组安装块上由下到上依次安装有一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗，所述一号研磨漏斗目数大于二号研磨漏斗的目数，所述二号研磨漏斗的目数大于三号研磨漏斗的目数，所述支撑板的四角处均固定安装有限位杆，所述研磨主体的下方设置有减震装置，所述底板的上端一侧固定安装有电控箱。

进一步的，所述底板的上端还固定安装有两组二号气缸，且二号气缸位于一号气缸的一侧，所述二号气缸的上端设置有二号伸缩杆，所述二号伸缩杆的上端固定安装有二号连接杆，所述二号连接杆上固定安装有上盖，所述上盖的上端固定安装有电机，所述电机转轴的下端固定安装有研磨主轴，所述上盖的四角处均开设有限位孔，四组所述限位杆分别位于四组限位孔的内部，所述一号气缸、二号气缸与电机的输入端均与电控箱的输出端电性连接。

进一步的，所述研磨主轴位于研磨主体的内部，所述研磨主轴贯穿于二号研磨漏斗与三号研磨漏斗的内部中心处，且研磨主轴位于一号研磨漏斗的上方，所述研磨主轴的圆周外表面由下到上依次固定安装有一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮，且一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的形状大小完全相同，所述一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的上端均为光滑表面，所述一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的下端均固定安装有研磨石。

进一步的，所述一号研磨转轮位于一号研磨漏斗的上方，所述二号研磨转轮位于二号研磨漏斗的上方，所述三号研磨转轮位于三号研磨漏斗的上方，所述研磨石的下表面与一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗的上表面均能紧密贴合。