[发明专利]发声器件有效
申请号: | 202010588049.9 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111641907B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 肖波;令狐荣林 | 申请(专利权)人: | 瑞声科技(新加坡)有限公司 |
主分类号: | H04R9/02 | 分类号: | H04R9/02;H04R9/04;H04R9/06 |
代理公司: | 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 | 代理人: | 刘伟 |
地址: | 新加坡卡文迪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 器件 | ||
1.一种发声器件,其包括振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统,所述振动系统包括用于振动发声的上振膜、驱动所述上振膜振动发声的音圈、与所述上振膜相对间隔设置的下振膜以及设置于所述上振膜和所述下振膜之间的骨架,所述磁路系统包括与所述上振膜相对间隔设置的磁轭和固定于所述磁轭的第一磁钢,其特征在于,所述磁轭包括磁轭本体和由所述磁轭本体向所述上振膜的方向凸出延伸的磁轭支撑台,所述第一磁钢的内侧围成空间,所述第一磁钢固定于所述磁轭本体,所述音圈环绕设置于所述第一磁钢的外侧,所述磁轭支撑台设置于所述第一磁钢的内侧;所述骨架包括固定于所述上振膜的骨架本体、由所述骨架本体向所述磁轭的方向弯折延伸的内骨架以及由所述骨架本体朝向所述音圈弯折延伸的并与所述音圈连接的骨架延伸部,所述内骨架延伸至所述第一磁钢的内侧;所述下振膜设置于所述第一磁钢的内侧并连接于所述内骨架和所述磁轭支撑台之间。
2.根据权利要求1所述的发声器件,其特征在于,所述磁路系统还包括固定于所述磁轭本体的第二磁钢,所述第二磁钢设置于所述第一磁钢的外侧并与所述第一磁钢间隔形成磁间隙,所述音圈插设于所述磁间隙。
3.根据权利要求1所述的发声器件,其特征在于,所述骨架本体呈环状,所述内骨架包括由所述骨架本体的内周缘弯折延伸的内骨架本体和由所述内骨架本体向靠近所述磁轭支撑台的方向弯折延伸的内骨架固定部,所述内骨架固定部与所述下振膜连接;所述骨架延伸部由所述骨架本体的外周缘弯折延伸形成。
4.根据权利要求1所述的发声器件,其特征在于,所述骨架延伸部包括由所述骨架本体弯折延伸的骨架延伸部本体和由所述骨架延伸部本体朝远离所述内骨架方向弯折延伸的骨架延伸固定部,所述骨架延伸固定部与所述音圈靠近所述上振膜的一端固定连接。
5.根据权利要求4所述的发声器件,其特征在于,所述骨架还包括由所述骨架延伸固定部远离所述骨架延伸部本体的一端朝向所述磁轭的方向弯折延伸的外骨架,所述外骨架设置于所述音圈的外侧;所述发声器件还包括用于支撑所述振动系统和所述磁路系统的盆架以及设置于所述音圈外侧的弹性件,所述弹性件的一端固定于所述外骨架,所述弹性件的另一端固定于所述盆架。
6.根据权利要求5所述的发声器件,其特征在于,所述外骨架包括由所述骨架延伸固定部弯折延伸的设置于所述音圈的外侧的外骨架本体和由所述外骨架本体远离所述骨架延伸固定部的一端向远离所述音圈方向弯折延伸的外骨架固定部,所述弹性件固定于所述外骨架固定部。
7.根据权利要求5所述的发声器件,其特征在于,所述音圈包括音圈本体和由所述音圈本体延伸的音圈引线;所述弹性件为柔性电路板,所述外骨架设有贯穿其上的引线孔,所述音圈引线穿过所述引线孔并与所述弹性件电连接。
8.根据权利要求7所述的发声器件,其特征在于,所述音圈还包括由所述音圈本体远离所述上振膜一端的靠近所述外骨架的周缘凹陷形成的避让台阶,所述音圈引线由所述避让台阶处引出。
9.根据权利要求2所述的发声器件,其特征在于,所述第一磁钢呈中空的矩形,所述第二磁钢包括两个且分别设置于所述第一磁钢的长轴的相对两侧,所述磁路系统还包括叠设于所述第一磁钢的呈中空环状的第一夹板、叠设于所述第二磁钢的第二夹板以及叠设于所述第二夹板的辅助磁钢,所述第二夹板包括固定于所述第二磁钢的两个第一本体、由所述第一本体的相对两端分别朝靠近所述上振膜方向弯折延伸的夹板延伸体以及连接在相邻一侧所述夹板延伸体之间的第二本体,所述夹板延伸体分别连接在相邻所述第一本体与所述第二本体之间,所述第一本体、所述夹板延伸体及所述第二本体共同围成环状,所述第二本体相较所述第一本体更靠近所述上振膜。
10.根据权利要求5所述的发声器件,其特征在于,所述发声器件还包括阻尼件,所述阻尼件、所述盆架、所述上振膜及所述磁轭共同围成内声腔,所述内声腔通过所述阻尼件与外界连通;所述阻尼件包括固定于所述磁轭的阻尼件本体、由所述阻尼件本体向所述盆架的方向弯折延伸的阻尼件延伸部以及由所述阻尼件延伸部弯折延伸并固定于所述盆架的阻尼件连接部,所述磁轭还包括由所述磁轭本体向远离所述磁轭支撑台的方向延伸的磁轭延伸部,所述阻尼件本体固定于所述磁轭延伸部远离所述上振膜的一侧。
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