[发明专利]发光显示设备在审
申请号: | 202010587757.0 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112349751A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 沈东敏;崔惠景;韩炅勋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;王伟楠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 设备 | ||
一种发光显示设备,包括:基板,其包括多个子像素;外涂层,其在基板上并具有基础部分和突出部分;第一电极,其被设置成在多个子像素处覆盖基础部分和突出部分的侧部分;堤层,其覆盖外涂层和第一电极的一部分;发光层和第二电极,其两者在多个子像素处的第一电极和堤层上;以及截止层,其在第二电极上以与堤层交叠。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年8月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0095725号的优先权权益,该申请的全部内容通过引用在此明确地并入本申请中。
技术领域
本公开涉及发光显示设备,更具体地,涉及能够提高光提取效率并同时通过抑制或防止色坐标的变化来改进色域的发光显示设备。
背景技术
最近,随着我们的社会朝向面向信息的社会发展,用于可视地表达电信息信号的显示设备的领域已经迅速发展。正在相应地开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示设备。
在各种显示设备中,发光显示设备是自发光显示设备,自发光显示设备不需要单独光源,这不同于液晶显示设备。因此,发光显示设备可以被制造得轻且薄。此外,发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势,并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此,预期发光显示设备被用于各种领域。
发明内容
从发光显示设备的发光层发射的光可以通过发光显示设备的各种部件输出到发光显示设备的外部。然而,在从发光层发射的光中,存在被捕获在发光显示设备内部而没有从发光显示设备出来的光,由此发光显示设备的光提取效率是有问题的。
例如,存在下述问题:由于全反射损耗、波导损耗和表面等离子体损耗,从发光层发射的光中的一些光被捕获在发光显示设备中。此处,全反射损耗指的是由于从发光层发射的光中的下述光而导致的光提取效率的降低:该光由于在基板与空气之间的界面处的全反射而被捕获在发光显示设备中。波导损耗指的是由于在发光显示设备中的部件的界面处的全反射而导致的光提取效率的降低。表面等离子体损耗指的是下述情况:由于光在光入射和传播期间被吸收到金属表面上的现象而导致光使金属表面的自由电子振动,由此阻止了光的反射或透射,从而导致光提取效率的降低。
为了解决与发光显示设备相关联的上述和其他限制,本公开的发明人已经发明了如下发光显示设备:该发光显示设备具有新的结构,以通过减少全反射损耗和波导损耗来提高发光显示设备的光提取效率。例如,本公开的发明人将外涂层形成为具有平坦上表面的基础部分和从基础部分突出的突出部分,并且在基础部分上以及突出部分的侧部分上设置具有反射层的阳极。因此,在突出部分的侧部分处形成的阳极的反射层可以作为侧镜,并且通过全反射被捕获在发光显示设备中的光中的一些光被提取到发光显示设备的正面方向,由此提高了发光显示设备的光提取效率。
另一方面,本公开的发明人已经认识到,从具有上述结构的发光显示设备另外提取的光可能导致色坐标的变化,这可能是一个问题。
例如,当反射电极设置在发光显示设备的突出部分的侧部分上时,在非发光区域中从发光显示设备向上提取光,从而允许提高光提取效率。然而,通过从反射电极反射而从发光显示设备向上提取的光呈现光致发光(PL)谱。因此,在长波长区域中另外提取的光可以比在短波长区域中更多。因此,发射短波长区域的光的子像素例如蓝色子像素可具有下述问题:可能出现色坐标变化。
因此,本公开的发明人已经发明了改进的发光显示设备,该发光显示设备具有新的结构,能够防止色坐标的变化或使色坐标的变化最小化,同时提高光提取效率。
本公开的一个方面是提供一种发光显示设备,该发光显示设备能够使当使用具有侧镜形状的阳极时可能出现的长波长区域中的光最小化。
本公开的另一方面是减少提取的光的色坐标的变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的