[发明专利]一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）配料：按BaAl₂Si₂O₈的化学计量比称量BaCO₃、Al₂O₃、SiO₂原料，混合，得第一粉料；

（2）球磨：将第一粉料在球磨介质中进行球磨，得浆料；其中，球磨介质为去离子水和锆球，锆球、去离子水、第一粉料的重量比为3-5:0.5-1.5:1，球磨转速为300-400r/min，球磨时间为7-10h；

（3）预烧：将浆料烘干过筛，然后压制成坯体，在950-1150℃预烧处理3-5h，冷却，粉碎过筛，得第二粉料；

（4）二次球磨：将第二粉料再次球磨、烘干、过筛，得第三粉料；其中，球磨介质为去离子水和锆球，锆球、去离子水、第二粉料的重量比为3-5:0.5-1.5:1，球磨转速为300-400r/min，球磨时间为7-10h；

（5）造粒：向第三粉料中添加粘结剂，混匀，造粒，然后在压强为80-100MPa条件下将其压制成型，得生坯；其中，第三粉料与粘结剂的重量比为8-11:1；粘结剂为6-15wt%聚乙烯醇溶液和8-12wt%聚乙二醇溶液按质量比为1:1混合的混合溶液；

（6）排胶：对生坯进行排胶处理；

（7）烧结：将排胶后的生坯在1350-1450℃烧结3-5h，制得。

2.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，锆球、去离子水、第一粉料或第二粉料的重量比为4:1:1；球磨转速为350r/min，球磨时间为8h。

3.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中预烧温度为1050℃，预烧时间为4h。

4.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（5）中第三粉料与粘结剂的重量比为9:1。

5.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（5）中粘结剂为8wt%聚乙烯醇溶液和10wt%聚乙二醇溶液按质量比为1:1混合的混合溶液。

6.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（6）具体过程为：将生坯在400-600℃条件下保温3-6h，排出粘结剂。

7.根据权利要求1所述的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（7）中烧结温度为1375℃，烧结时间为5h。

8.采用权利要求1-7任一项所述的方法制得的基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料。