[发明专利]半导体处理腔体及其清洁方法在审

专利信息
申请号: 202010587217.2 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN113838769A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 胡玉;刘振;初春 申请(专利权)人: 拓荆科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01J37/32;C23C16/44
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 李丹
地址: 110179 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 半导体 处理 及其 清洁 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体处理腔体,其特征在于,包含:

一侧壁、一顶部和一底部相连接以定义一腔室;

一气体供应源,用于提供一气体;

一远程电浆源,与该气体供应源相连接,以将该气体转化为电浆态;

复数个孔洞,位于该侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室;以及

一侧面通道,连接该远程电浆源与该等孔洞,以将电浆态的气体传送至该等孔洞。

2.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该等孔洞位于同一水平高度,且低于一工艺高度。

3.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该等孔洞位于一托盘的下方且靠近为于该底部的一抽气通道。

4.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该侧面通道和该等孔洞之间连接有一环形信道,该环形信道于该侧壁中延伸。

5.一种使用于权利要求1所述半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,包含:

提供该电浆态气体至所述处理腔体的侧壁的该等孔洞,以将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室。

6.如权利要求5所述的半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,还包含:提供分流该电浆气体至所述处理腔体的一喷淋板,以将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室。

7.如权利要求6所述的半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,其中所述将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室,是于所述将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室之前或之后执行。

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