[发明专利]半导体处理腔体及其清洁方法在审
申请号: | 202010587217.2 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN113838769A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 胡玉;刘振;初春 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/44 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 及其 清洁 方法 | ||
1.一种半导体处理腔体,其特征在于,包含:
一侧壁、一顶部和一底部相连接以定义一腔室;
一气体供应源,用于提供一气体;
一远程电浆源,与该气体供应源相连接,以将该气体转化为电浆态;
复数个孔洞,位于该侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室;以及
一侧面通道,连接该远程电浆源与该等孔洞,以将电浆态的气体传送至该等孔洞。
2.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该等孔洞位于同一水平高度,且低于一工艺高度。
3.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该等孔洞位于一托盘的下方且靠近为于该底部的一抽气通道。
4.如权利要求1所述的半导体处理腔体,其特征在于:其中该侧面通道和该等孔洞之间连接有一环形信道,该环形信道于该侧壁中延伸。
5.一种使用于权利要求1所述半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,包含:
提供该电浆态气体至所述处理腔体的侧壁的该等孔洞,以将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室。
6.如权利要求5所述的半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,还包含:提供分流该电浆气体至所述处理腔体的一喷淋板,以将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室。
7.如权利要求6所述的半导体处理腔体的清洁方法,其特征在于,其中所述将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室,是于所述将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室之前或之后执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造