[发明专利]半导体处理腔体及其清洁方法

权利要求书

1.一种半导体处理腔体，其特征在于，包含：

一侧壁、一顶部和一底部相连接以定义一腔室；

一气体供应源，用于提供一气体；

一远程电浆源，与该气体供应源相连接，以将该气体转化为电浆态；

复数个孔洞，位于该侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；以及

一侧面通道，连接该远程电浆源与该等孔洞，以将电浆态的气体传送至该等孔洞。

2.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其中该等孔洞位于同一水平高度，且低于一工艺高度。

3.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其中该等孔洞位于一托盘的下方且靠近为于该底部的一抽气通道。

4.如权利要求1所述的半导体处理腔体，其特征在于：其中该侧面通道和该等孔洞之间连接有一环形信道，该环形信道于该侧壁中延伸。

5.一种使用于权利要求1所述半导体处理腔体的清洁方法，其特征在于，包含：

提供该电浆态气体至所述处理腔体的侧壁的该等孔洞，以将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室。

6.如权利要求5所述的半导体处理腔体的清洁方法，其特征在于，还包含：提供分流该电浆气体至所述处理腔体的一喷淋板，以将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室。

7.如权利要求6所述的半导体处理腔体的清洁方法，其特征在于，其中所述将该电浆气体经由该喷淋板通入该腔室，是于所述将该电浆态气体经由该等孔洞通入该腔室之前或之后执行。