[发明专利]多芯片水平封装的芯片模组、晶圆结构和加工方法

权利要求书

1.一种多芯片水平封装的芯片模组，其特征在于：包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设置于第一晶片上，所述第二芯片设置于第二晶片上，所述第一晶片与所述第二晶片相邻，所述第一芯片上设置有第一连接点，所述第一晶片上设置有第二连接点，所述第二晶片上设置有第三连接点，所述第二芯片上设置有第四连接点，所述第一连接点与所述第二连接点连接，所述第二连接点与所述第三连接点连接，所述第三连接点与所述第四连接点连接，所述第一芯片和第二芯片表面覆盖有保护层。

2.根据权利要求1所述的多芯片水平封装的芯片模组，其特征在于：所述第一晶片包括芯片承载区和切割区，所述第一芯片设置于所述芯片承载区内，所述第一连接点设置于所述第一芯片上，所述第二连接点设置于所述切割区内。

3.根据权利要求2所述的多芯片水平封装的芯片模组，其特征在于：所述第二连接点距离所述第一晶片的边缘10μm～20μm。

4.根据权利要求1所述的多芯片水平封装的芯片模组，其特征在于：还包括第三芯片，所述第三芯片设置于第三晶片上，所述第三晶片与所述第一晶片或第二晶片相邻，所述第三芯片上设置有第五连接点，所述第三晶片上设置有第六连接点，所述第五连接点与所述第六连接点连接，所述第六连接点与所述第二连接点或第四连接点连接，所述第三芯片表面覆盖有保护层。

5.一种多芯片水平封装的晶圆结构，其特征在于：包括晶圆，所述晶圆包括若干晶片，每个所述晶片上均设置有一个芯片，每两个相邻晶片为一组，每组晶片上的两个芯片功能不同且相互连接。

6.根据权利要求5所述的多芯片水平封装的晶圆结构，其特征在于：所述晶圆被划分为中心区域和边缘区域，所述中心区域为所述晶圆的最大内接正方形，所述边缘区域为所述晶圆除所述中心区域以外的区域，所述中心区域内的晶片每四个形成一个连接组，所述连接组内的芯片依次相连。

7.一种多芯片水平封装的芯片模组加工方法，其特征在于，包括以下步骤：晶圆生产、晶圆涂膜、通过显影蚀刻在相邻的晶片上形成不同的芯片、将相邻晶片上的芯片连接、掺杂、不良品检测、根据良品晶片的位置规划切割路线、晶圆切割、封装成芯片模组、测试。