[发明专利]基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法在审
| 申请号： | 202010586499.4 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111787679A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张冠军;陈思乐;陈星宇;张波;常正实;孙安邦;穆海宝 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 介质 阻挡 一次 二次 放电 聚合物 材料 表面 改性 方法 | ||
1.基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，包括步骤：
基于介质阻挡放电结构，在放电空间内通入具有较强电子亲和性的反应气体与惰性气体的混合物作为工作气体，通过外施电场激励使工作气体放电产生等离子体，配合调节电极间距、反应气体比例、外施电场强度可产生一次和二次放电，作用于聚合物材料表面，实现其表面性能的改善，其中工作气体中反应气体体积占工作气体总体积的比例其与反应气体种类相关，在0.1-10％范围内。
2.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，介质阻挡放电结构包括平板型、同轴型和表面型介质阻挡放电结构。
3.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，具有较强电子亲和性的反应气体为O2、CF4或SF6，所述的惰性气体为Ar或He。
4.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，外施电场激励形式为1-100kHz的中频交变电场或脉冲电场。
5.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，电极间距在1-20mm范围内。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，外施电场强度根据介质阻挡放电结构、电极间距、反应气体类型及比例来确定，均值在1-10kV/cm范围内。
7.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，一次和二次放电表现为紧邻的双脉冲放电，其中，一次放电的发展速度较二次放电快，持续时间较二次放电短，其中一次放电持续时间通常在10-100ns范围内，二次放电持续时间通常在100-1000ns范围内。
8.根据权利要求1所述的基于介质阻挡一次和二次放电的聚合物材料表面改性方法，其特征在于，聚合物材料表面性能包括亲水性、疏水性、疏油性、表面能、表面黏附性以及沿面耐电性能。
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