[发明专利]拉制低光衰单晶的工艺及单晶、硅棒、硅片、电池及组件在审
| 申请号： | 202010585877.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113832542A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨志;王建平;乌恩;王林;徐强 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B15/00;H01L31/042 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拉制 低光衰单晶 工艺 硅棒 硅片 电池 组件 | ||
1.一种拉制低光衰单晶的工艺，其特征在于，在装料时，将多晶原料与掺杂剂装入石英坩埚内，将所述掺杂剂放置于所述多晶原料内部，进行直拉单晶，其中，所述掺杂剂为镓单质或镓化合物；以及，
在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺，所述高晶转工艺为晶转大于10rpm；
拉制多颗短段单晶，提高低阻单晶占比。
2.根据权利要求1所述的拉制低光衰单晶的工艺，其特征在于：在转肩阶段，进行自动转肩，以便自动进入等径阶段，所述自动转肩为：
根据扩肩后期的单晶生长速度，设定标准转肩长晶时间；
记录实际转肩长晶时间，将所述实际转肩长晶时间与所述设定的标准转肩长晶时间进行对比；
根据所述对比结果进行自动转肩。
3.根据权利要求1或2所述的拉制低光衰单晶的工艺，其特征在于：所述短段单晶的数量大于6。
4.根据权利要求3所述的拉制低光衰单晶的工艺，其特征在于：所述短段单晶的长度小于一定长度，该长度为2500-3000mm。
5.根据权利要求4所述的拉制低光衰单晶的工艺，其特征在于：在直拉单晶过程中，需补掺掺杂剂时，采用掺杂剂补掺装置进行补掺。
6.一种低光衰大直径单晶，其特征在于：采用如权利要求1-5所述的拉制低光衰单晶的工艺进行所述低光衰大直径单晶的拉制，所述单晶为圆棒，所述单晶直径大于225mm，所述单晶长度小于一定长度，所述长度为2500-3000mm。
7.一种单晶硅棒，其特征在于，由如权利要求6所述的低光衰大直径单晶制备而成。
8.一种单晶硅片，其特征在于，由如权利要求7所述的单晶硅棒制备而成。
9.一种太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求8所述的单晶硅片。
10.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括如权利要求9所述的太阳能电池。
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