[发明专利]柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜的方法

权利要求书

1.一种柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将柔性玻璃用电子清洗剂擦洗，之后用水超声清洗，再用乙醇超声清洗，然后干燥；将清洗后的柔性玻璃紧贴在磁控溅射镀膜机的真空腔中的基片冷却装置的表面；

S2、之后抽真空至真空度达到10^-7～10^-3Pa；

S3、采用原子层沉积方法在所述柔性玻璃的表面沉积ZnO纳米级别的薄膜得到镀膜柔性玻璃，采用热分解ALD的方法来沉积，前驱体是Zn(C₂H₅)₂和水，控制生长温度在200-300℃之间，获得具有良好的(002)晶相的ZnO薄膜，晶粒在40-50nm之间；

S4、向所述真空腔中动态地通入工作气体，所述工作气体总压强为0.2～10Pa；其中，所述工作气体为反应气体和氩气的混合物，所述反应气体与氩气的体积比为0.3～2:1，所述反应气体为氧气；

S5、启动磁控溅射源，在所述镀膜柔性玻璃上反应溅射沉积压电薄膜，溅射源为平面靶磁控溅射源、柱型靶磁控溅射源、S-枪磁控溅射源以及它们的孪生靶中的一种，采用直流溅射、射频溅射、中频溅射中的一种磁控溅射方法制成；溅射的功率密度为2～25W/cm²，靶材到衬底的距离为 5～10cm；压电薄膜的厚度为200nm-6μm；之后向磁控溅射镀膜机真空腔中放入大气，取出样品。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S5中，所述压电薄膜为ZnO薄膜、AlN薄膜、V掺杂ZnO薄膜、Sc掺杂AlN薄膜和Er掺杂AlN薄膜中的一种。