[发明专利]一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法有效
| 申请号: | 202010584248.2 | 申请日: | 2020-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN111697104B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
| 发明(设计)人: | 李丽波;崔文俊;翟墨;杜金田 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749;C23C28/04;B41M1/26;B41M1/12 |
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| 地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 真空 制备 铜铟镓硒 太阳能电池 方法 | ||
1.一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于:首先对掺氟二氧化锡导电玻璃FTO进行前处理,接着采用溶胶凝胶法制备FTO/ZnO薄膜,然后将其作为载体,通过两电极恒电位法将ZnS沉积在ZnO表面,再通过油墨法将铜铟镓硒CIGS涂覆在ZnS表面,最后采用丝网印刷法得到全非真空一体化组装的FTO/ZnO/ZnS/CIGS倒置太阳能电池,具体步骤如下:
一、导电玻璃进行前处理
对导电玻璃进行前处理,待用;
二、溶胶凝胶法制备FTO/ZnO薄膜
加入二水醋酸锌,加入乙醇溶解,60 ℃加热搅拌,得到二水醋酸锌-乙醇处理液,待用;接着加入氢氧化钾,加入乙醇溶解,搅拌后,得到氢氧化钾-乙醇处理液,利用滴液漏斗缓慢将其滴加入二水醋酸锌-乙醇处理液中,完成后冷凝回流2 h,得到ZnO预处理液;将ZnO预处理液滴涂于FTO表面,随后在100 ℃下干燥,重复滴涂与烘干操作五次,得到FTO/ZnO薄膜预产物,然后将FTO/ZnO薄膜预产物在300 ℃空气中退火处理,得到FTO/ZnO薄膜,待用;
三、电沉积法制备FTO/ZnO/ZnS薄膜
称取0.01~0.05 mol·L-1硫酸锌、0.1~0.3 mol·L-1硫代硫酸钠和0.02~0.06 mol·L-1柠檬酸钠,加入100 mL去离子水溶解,在搅拌的状态下用质量分数为80 %的硫酸溶液调节pH,得到ZnS电解液;以步骤二得到的FTO/ZnO薄膜为工作电极,石墨电极为对电极,将两个电极置入ZnS电解液中进行恒压电沉积,得到FTO/ZnO/ZnS预产物,然后将FTO/ZnO/ZnS预产物在氮气气氛中退火处理,得到FTO/ZnO/ZnS薄膜,待用;
四、油墨法制备FTO/ZnO/ZnS/CIGS薄膜
按质量比为4:5称取铜铟镓硒粉末和聚偏氟乙烯粉末,再加入N-甲基吡咯烷酮混合溶解,室温下搅拌4 h,制得CIGS油墨,并将其滴涂于步骤三得到的FTO/ZnO/ZnS薄膜表面,烘干即可得到FTO/ZnO/ZnS/CIGS薄膜;
五、丝网印刷法制备FTO/ZnO/ZnS/CIGS倒置太阳能电池
取步骤四得到的FTO/ZnO/ZnS/CIGS薄膜,通过丝网印刷的方法在FTO/ZnO/ZnS/CIGS铜铟镓硒层印刷一层导电银胶,即可得到FTO/ZnO/ZnS/CIGS倒置太阳能电池,最终完成一种全非真空制备的铜铟镓硒太阳能电池的制备。
2.根据权利要求1所述的一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于步骤二中所述的ZnO预处理液由二水醋酸锌-乙醇处理液与氢氧化钾-乙醇处理液构成,其中二水醋酸锌-乙醇处理液浓度为0.010~0.015 mol·L-1;氢氧化钾-乙醇处理液为0.020~0.025 mol·L-1,经处理即可得到ZnO预处理溶液。
3.根据权利要求1所述的一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于步骤三中电沉积ZnS时电解液pH值为1~5,沉积电压为1~2 V,沉积温度为40~70 ℃,沉积时间为5~10 min。
4.根据权利要求1所述的一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于步骤三中退火温度为250~350 ℃。
5.根据权利要求1所述的一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于步骤四所述的铜铟镓硒粉末与N-甲基吡咯烷酮的固液比为1:5。
6.根据权利要求1所述的一种全非真空制备铜铟镓硒太阳能电池的方法,其特征在于步骤四所述的CIGS油墨的用量为10~100 μL,烘干温度为100 ℃,烘干时间为1~5 h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





