[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010582745.9 | 申请日: | 2020-06-23 | 
| 公开(公告)号: | CN111682031A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 | 
| 发明(设计)人: | 黄勇潮;宋威;王庆贺;王海涛;苏同上;刘军;成军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 | 
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:多个子像素,在垂直于基底的平面上,所述子像素包括依次设置在所述基底上的第一金属层、第二金属层和第三金属层,所述第二金属层包括电源连接线和栅电极,所述第三金属层包括第一电源线,所述电源连接线和所述第一电源线通过第一过孔连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有第一绝缘层,所述第三金属层还包括数据线,所述电源连接线在所述基底的正投影与所述数据线在所述基底的正投影存在交叠区域,所述第一绝缘层开设有凹槽,所述凹槽在所述基底的正投影包含所述交叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一绝缘层和所述电源连接线之间设置有第二绝缘层,在垂直于所述基底的方向上,所述凹槽的深度大于等于所述电源连接线和所述第二绝缘层的厚度之和。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在平行于所述基底的平面上,所述凹槽远离所述基底一侧的开口的正投影包含所述凹槽靠近基底一侧的开口的正投影。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第三金属层还包括第一极和第二极,所述栅电极和所述第一极、所述第二极构成用于驱动所述子像素的晶体管,所述第一极通过第二过孔连接到所述电源连接线。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述电源连接线的材料包括铜。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板,其特征在于,所述第一金属层包括遮挡层。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至7任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括多个子像素,所述制备方法包括:
在基底上依次形成第一金属层、第二金属层,所述第二金属层包括电源连接线和栅电极;
在所述第二金属层上形成第三金属层,所述第三金属层包括第一电源线,所述电源连接线和所述第一电源线通过第一过孔连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第三金属层还包括数据线;
所述在基底上依次形成第一金属层、第二金属层包括:
形成所述第一金属层;
在所述第一金属层远离所述基底一侧形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层开设凹槽,所述凹槽在所述基底的正投影包含所述电源连接线在所述基底的正投影与所述数据线在所述基底的正投影的交叠区域;
在所述第一绝缘层远离所述基底一侧形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层远离所述基底一侧形成所述第二金属层。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述凹槽的深度大于等于所述电源连接线和所述第二绝缘层的厚度之和。
12.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在平行于所述基底的平面上,所述凹槽远离所述基底一侧的开口的正投影包含所述凹槽靠近基底一侧的开口的正投影。
13.根据权利要求9至12任一所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成第三金属层包括:
形成覆盖所述第二金属层的第三绝缘层,所述第三绝缘层开设有所述第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔暴露出所述电源连接线;
在所述第三绝缘层上形成第三金属层,所述第三金属层包括所述第一电源线、第一极和第二极,所述栅电极和所述第一极、所述第二极构成用于驱动所述子像素的晶体管,所述第一极通过所述第二过孔连接到所述电源连接线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





