[发明专利]负阻钳位可控硅整流忆阻器件及其制作方法

权利要求书

1.一种负阻钳位可控硅整流忆阻器件，其特征在于，包括：

衬底P-Sub，所述衬底P-Sub上设有DN-Well区，所述DN-Well区中设有第一P-Well区、N-Well区和第二P-Well区；

所述第一P-Well区中依次设有第一浅槽隔离区、第一P+注入区、第二浅槽隔离区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第三浅槽隔离区和所述第二P+注入区，第四浅槽隔离区横跨在所述第一P-Well区和所述N-Well区的交界处；

所述N-Well区中设有第二N+注入区、第五浅槽隔离区和第三N+注入区，第六浅槽隔离区横跨在所述N-Well区和所述第二P-Well区的交界处；

所述第二P-Well区中设有第三P+注入区、第七浅槽隔离区、第二多晶硅栅、第四N+注入区、第八浅槽隔离区、第四P+注入区和第九浅槽隔离区；

所述第一P+注入区、所述第一N+注入区和所述第一多晶硅栅连接在一起引出作为器件阴极；所述第二多晶硅栅、所述第四N+注入区和所述第四P+注入区连接在一起引出作为器件阳极。

2.根据权利要求1所述的负阻钳位可控硅整流忆阻器件，其特征在于，所述第一浅槽隔离区的左侧与所述DN-Well区及所述第一P-Well区的左侧边缘相连接，所述第一浅槽隔离区的右侧与所述第一P+注入区的左侧相连接，所述第一P+注入区的右侧与所述第二浅槽隔离区的左侧相连接，所述第二浅槽隔离区的右侧与所述第一N+注入区的左侧相连接，所述第一N+注入区的右侧与所述第一多晶硅栅的左侧相连接，所述第一多晶硅栅的右侧与所述第三浅槽隔离区的左侧相连接，所述第三浅槽隔离区的右侧与所述第二P+注入区的左侧相连接，所述第二P+注入区的右侧与所述第四浅槽隔离区的左侧相连接，所述第四浅槽隔离区横跨在所述第一P-Well区和所述N-Well区的交界处。

3.根据权利要求2所述的负阻钳位可控硅整流忆阻器件，其特征在于，所述第四浅槽隔离区的右侧与所述第二N+注入区的左侧相连接，所述第二N+注入区的右侧与所述第五浅槽隔离区的左侧相连接，所述第五浅槽隔离区的右侧与所述第三N+注入区的左侧相连接，所述第三N+注入区的右侧与所述第六浅槽隔离区的左侧相连接，所述第六浅槽隔离区横跨在所述N-Well区和所述第二P-Well区的交界处。

4.根据权利要求3所述的负阻钳位可控硅整流忆阻器件，其特征在于，所述第六浅槽隔离区的右侧与所述第三P+注入区的左侧相连接，所述第三P+注入区的右侧与所述第七浅槽隔离区的左侧相连接，所述第七浅槽隔离区的右侧与所述第二多晶硅栅的左侧相连接，所述第二多晶硅栅的右侧与所述第四N+注入区的左侧相连接，所述第四N+注入区的右侧与所述第八浅槽隔离区的左侧相连接，所述第八浅槽隔离区的右侧与所述第四P+注入区的左侧相连接，所述第四P+注入区的右侧与所述第二P-Well区及所述DN-Well区的右侧边缘相连接。

5.根据权利要求4所述的负阻钳位可控硅整流忆阻器件，其特征在于，在周期性脉冲信号的激励下，激励信号为方波，上升沿10ns，下降沿10ns，脉宽100ns，当正向脉冲信号来到器件阳极，器件阴极接地电位时，所述第一N+注入区、所述第一P-Well区和所述N-Well区构成NPN₂三极管，所述第四P+注入区、所述N-Well区和所述第一P+注入区构成PNP三极管结构，所述PNP三极管结构的基极与所述NPN₂三极管结构的集电极通过所述N-Well区的寄生电阻R_N相连接，所述NPN₂三极管结构的基极与所述PNP三极管结构的集电极通过所述第一P-Well区的寄生电阻R_P2相连接，所述的PNP三极管结构和所述的NPN₂三极管结构形成了可控硅结构。