[发明专利]超结碳化硅肖特基二极管在审
| 申请号： | 202010582122.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111755531A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吉炜 | 申请（专利权）人： | 无锡市乾野微纳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁睦宇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
1.一种超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括：
碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的材料掺杂类型为第一导电类型；
外延层，所述外延层设置于所述碳化硅衬底上，所述外延层上开设梯形沟槽，所述外延层的材料掺杂类型为第一导电类型；
氧化层，所述氧化层设置于所述梯形沟槽内，并且所述氧化层与所述外延层的倾斜侧壁之间设置有第二导电类型的注入区；及
金属电极层，所述金属电极层包括上接触电极和下接触电极，所述上接触电极设置于所述外延层远离所述碳化硅衬底上，所述下接触电极设置于所述碳化硅衬底上。
2.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层包括承托片及倾斜片，所述碳化硅衬底上设置有承载区，所述承托片设置于所述承载区上，所述倾斜片设置于所述承托片上，所述倾斜片与所述外延层的倾斜侧壁之间形成注入区。
3.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述注入区的注入掺杂浓度为0.5×1016cm-3～6×1017cm-3。
4.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述上接触电极由所述外延层的一侧壁延伸至所述梯形沟槽，以使所述注入区形成封闭的区域。
5.根据权利要求4所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述上接触电极截断后的半边宽度为0.25μm～2.50μm。
6.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述梯形沟槽的梯形腰与垂直面之间的夹角θ小于90°。
7.根据权利要求6所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述夹角θ的大小为0°～75°。
8.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述注入区的深度为0.2μm～0.9μm。
9.根据权利要求1所述的超结碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述梯形沟槽的高度为2μm～9μm。
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