[发明专利]一种浅沟槽场板SiGe HBT及其制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

步骤1，在p型衬底表面注入As离子形成集电区埋层，掺杂浓度为1e19cm^-3-1e20cm^-3；

步骤2，在衬底上外延生长集电区，集电区材料为n型硅，掺杂杂质为P离子，掺杂浓度为1e17cm^-3-1e18cm^-3，厚度为0.3μm-0.5μm；

步骤3，在集电区表面淀积掩蔽层，光刻刻蚀掩蔽层，以掩蔽层做掩膜在集电区中刻蚀出浅槽，在该浅槽中，在900℃-1100℃条件下氧化生长15nm衬垫氧化层，在衬垫氧化层上，采用化学气相淀积法填充二氧化硅，并对填充后的氧化层表面进行平坦化处理，去除掩蔽层，形成浅沟槽隔离区，浅槽深0.25μm-0.4μm；

步骤4，在集电区表面淀积掩蔽氧化层，掩蔽氧化层厚度为50nm-100nm；

步骤5，对掩蔽氧化层进行曝光，获得图形化表面；

步骤6，在图形化表面上进行刻蚀，在浅沟槽隔离区的氧化层中形成场板沟槽，在掩蔽氧化层中形成集电区引出端注入窗口；场板沟槽刻蚀深度为0.25μm-0.3μm，场板沟槽刻蚀深度大于集电区引出端刻蚀深度；

步骤7，在集电区引出端窗口注入As离子；

步骤8，在场板沟槽中填充金属铝；填充采用磁控溅射淀积的方法，淀积材料为Al_0.99Si_0.01，填充的金属铝厚度为0.3μm-1μm，淀积至高于掩蔽氧化层的高度；

步骤9，采用化学机械平坦化工艺对场板中填充的金属铝表面进行平整；

步骤10，刻蚀金属铝场板至与集电区表面相平，形成场板区域，刻蚀后的场板厚度为0.15～0.2μm；

步骤11，去除掩蔽氧化层，在集电区表面分别淀积隔离氧化层、淀积多晶硅外基区，在多晶硅外基区上分别淀积掩蔽氧化层、掩蔽氮化层；多晶硅外基区掺杂杂质为B离子，掺杂浓度为8e19cm^-3-1e21cm^-3，厚度为0.075μm-0.15μm；

步骤12，光刻刻蚀掩蔽氧化层和掩蔽氮化层、多晶硅外基区、隔离氧化层形成基区窗口，在基于窗口外延生长SiGe基区，SiGe基区包括10-30nm Si缓冲层、40-60nm SiGe层及10-30nm Si帽层，掺杂杂质为B离子，Si缓冲层与Si帽层掺杂浓度为1e17cm^-3-1e18cm^-3，SiGe层Ge的含量为5％～20％，掺杂浓度为5e18cm^-3-5e19cm^-3；

步骤13，在基区窗口中分别淀积侧墙、淀积多晶硅发射区，多晶硅发射区掺杂杂质为P离子，掺杂浓度为8e19cm^-3-1e21cm^-3，多晶硅发射区厚度为0.25μm-0.4μm；

步骤14，在多晶硅外基区、多晶硅发射区、集电区引出端表面淀积硅化钛，淀积温度为500℃，淀积厚度为20nm-50nm；

步骤15，在氮气或惰性气体保护下，采用尖峰退火与动态表面退火相结合的方式进行退火，尖峰退火峰值温度为1000℃-1050℃，退火时间为20s；动态表面退火温度为1300℃；

步骤16，淀积引出电极的金属连线。

2.根据权利要求1所述的一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法制作出的浅沟槽场板SiGe HBT，其特征在于，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。

3.根据权利要求2所述的一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法制作出的浅沟槽场板SiGe HBT，其特征在于，所述浅沟槽隔离区中引入金属铝场板，场板宽度为0.5μm，场板厚度为0.15～0.2μm。