[发明专利]一种基于光寻址电位传感器检测GPC3的方法

权利要求书

1.一种非诊断目的基于金纳米粒子/聚乙烯亚胺-还原氧化石墨烯AuNPs/PEI-rGO复合材料修饰芯片检测GPC3的方法，其特征在于：包含以下步骤：

步骤一： AuNPs/PEI-rGO复合材料的制备

（1）取氯金酸溶液，加热至沸腾，将柠檬酸钠溶液缓缓加入，维持沸腾状态，搅拌，溶液的颜色从无色变蓝色再变为酒红色，冷却到室温；

（2）以氧化石墨烯为原料，利用抗坏血酸为还原剂，制得还原氧化石墨烯rGO的稳定分散液；与聚乙烯亚胺PEI混合并回流加热，得到黑色分散液；用超纯水洗涤，离心，干燥；

（3）将PEI-rGO和金纳米粒子AuNPs混合，将得到的混合物离心，沉淀物分散在蒸馏水中；

步骤二：LAPS 芯片敏感单元的构建

（1）首先将硅片放置在由H₂O₂和浓H₂SO₄组成的溶液中浸泡，然后将硅片依次置于乙醇、丙酮和纯水中，于超声清洗机中超声清洗，最后静置后用纯水清洗干净；

（2）在干净的芯片工作面滴加NaOH溶液，清洗干净，使得LAPS芯片表面被氨基硅烷化试剂APTES硅烷化，表面以-NH₂基团终止，得到氨基硅烷化LAPS芯片，用纯水清洗三次，得到APTES芯片；

（3）在APTES芯片表面继续滴加AuNPs/PEI-rGO溶液，在恒温孵育箱中孵育，清洗干净，提高导电性的同时可以增加GPC3-Apt的负载量，得到AuNPs/PEI-rGO/APTES芯片；

（4）在上述芯片AuNPs/PEI-rGO/APTES的基础上滴加GPC3-Apt溶液，在恒温孵育箱中孵育后用缓冲液清洗晾干备用，得到GPC3-APt/AuNPs/PEI-rGO/APTES LAPS芯片敏感单元；

步骤三：GPC3的工作曲线绘制

（1）在LAPS 芯片敏感单元滴加GPC3标准液形成 LAPS 的测试基片，浸入到PBS 缓冲液里面，在外加偏置电压作用下，I-V曲线产生相应的偏移，记录LAPS系统的偏移电压值；

（2）根据LAPS系统的偏移电压值与GPC3浓度的关系，绘制工作曲线，并计算出该方法的最低检测限；

步骤四：待测样品中GPC3的检测

（1）用待测样品制备的LAPS芯片敏感单元浸入到PBS缓冲液里面，I-V曲线产生相应的偏移，记录LAPS系统的偏移电压值；

（2）根据步骤三所得到的GPC3的工作曲线，计算待测样品中GPC3的浓度。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述H₂O₂和浓H₂SO₄体积比3:7。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述NaOH溶液浓度为1 mol/L。

4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述AuNPs/PEI-rGO溶液的浓度为0.5 mg/mL。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述GPC3-Apt溶液浓度为10.0µmol/L。

6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述PBS 缓冲液的pH值为5.7。

7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中所述的偏置电压扫描范围-2V~2V。