[发明专利]陶瓷芯片制造方法在审
| 申请号： | 202010578709.5 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112736034A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李星玧;金淳珉;河宗佑 | 申请（专利权）人： | 罗茨股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 芯片 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷芯片制造方法，包括：
(A)在陶瓷原板形成多个切割沟槽；
(B)将形成有所述切割沟槽的表面去除预定厚度，进而去除在形成所述切割沟槽时形成在所述切割沟槽外侧的粗糙面；
(C)为使所述原板个别分成多个陶瓷芯片，将形成有所述切割沟槽的面的反面去除预定厚度。
2.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
在(A)所述陶瓷原板形成多个所述切割沟槽之前，
对待形成所述切割沟槽的所述陶瓷原板的上面进行粗磨工作。
3.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
在(A)所述陶瓷原板形成多个所述切割沟槽之前，
对所述陶瓷原板的底面进行粗磨工作。
4.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
在(B)将形成有所述切割沟槽的表面去除预定厚度，以去除在形成所述切割沟槽时形成在所述切割沟槽外侧的粗糙面之后，
将形成有所述切割沟槽的表面再一次去除预定厚度进行平滑处理的精磨工作。
5.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
(C)为使所述原板个别分成多个陶瓷芯片，将形成有所述切割沟槽的面的反面去除预定厚度之后，
针对个别化的所述陶瓷芯片的表面进行平滑处理的精磨工作。
6.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
所述陶瓷芯片为LED用颜色变换部件；
为了形成所述切割沟槽，用切割片切割所述原板；
用原板形的研磨器将所述原板的表面切除预定厚度，以去除在所述切割沟槽的外侧形成的粗糙面；
用原板形的研磨器将所述原板的所述反面切除预定厚度，以将形成有所述切割沟槽的面的反面去除预定厚度。
7.根据权利要求1所述的陶瓷芯片制造方法，其特征在于，
在所述切割沟槽外侧形成的粗糙面包括倾斜部，所述倾斜部倾斜地形成在所述切割槽的外侧，以使所述切割沟槽的宽度逐渐扩大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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