[发明专利]低压差稳压器有效
| 申请号： | 202010578680.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111665894B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 罗可欣;赵毅;马艳忠 | 申请（专利权）人： | 上海安路信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200434 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 稳压器 | ||
1.一种低压差稳压器，其特征在于，包括低压差稳压电路、翻转电压跟随电路、超级电压跟随电路和第二MOS管，所述低压差稳压电路包括误差放大器、第一MOS管和反馈电路，所述第一MOS管与所述反馈电路连接，所述反馈电路与所述误差放大器连接，所述翻转电压跟随电路包括第二PMOS管、第三PMOS管和第一电流源，所述第三PMOS管的源极接输入电压，所述第三PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极和所述第一MOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管漏极和所述第一电流源的一端连接，所述第一电流源的另一端接地，所述第二PMOS管的栅极与所述误差放大器的输出端连接，所述误差放大器与所述超级电压跟随电路连接，所述超级电压跟随电路与所述第二MOS管连接，所述第二MOS管与所述反馈电路和所述第一MOS管连接。
2.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一NMOS管，所述反馈电路包括第一电阻和第二电阻，所述误差放大器的输出端与所述翻转电压跟随电路连接，所述翻转电压跟随电路与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端和所述误差放大器的反相输入端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述误差放大器的正相输入端接参考电压。
3.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一PMOS管，所述反馈电路包括第一电阻和第二电阻，所述误差放大器的输出端与所述翻转电压跟随电路连接，所述翻转电压跟随电路与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压，所述第一PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端和所述误差放大器的正相输入端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述误差放大器的负相输入端接参考电压。
4.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其特征在于，所述超级电压跟随电路包括第五PMOS管、第二NMOS管、第三电流源和第四电流源，所述第五PMOS管的栅极与所述误差放大器的输出端和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的源极、所述第二MOS管的栅极与所述第二NMOS的漏极和所述第三电流源的一端连接，所述第三电流源的另一端接输入电压，所述第五PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极和所述第四电流源的一端连接，所述第四电流源的另一端接地，所述第二NMOS管的源极接地。
5.根据权利要求4所述的低压差稳压器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一NMOS管，所述第二MOS管包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接。
6.根据权利要求4所述的低压差稳压器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一PMOS管，所述第二MOS管包括第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接。
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