[发明专利]一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池在审
| 申请号： | 202010577841.4 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113903824A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 何飞;徐小萍 | 申请（专利权）人： | 江苏晶旺新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/077 | 分类号： | H01L31/077;H01L31/0352;H01L31/0216;B82Y30/00;B82Y20/00 |
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| 地址： | 225600 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 结构 perc 太阳能电池 | ||
1.一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，包括硅片(1)及位于硅片(1)表面的复合陷光结构，其特征在于：所述复合陷光结构包括金属纳米颗粒层(2)，所述金属纳米颗粒层(2)上依次层叠有前电极层(3)、氧化硅(SiO2)薄膜层(4)、SiNx薄膜层(5)、P-I-N层(6)、石墨烯/TiO2纳米颗粒层(7)、背反射层(8)、背电极层(9)。
2.根据权利要求1所述的一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，其特征在于：所述背电极层(8)上焊接有阳极接线(13)和阴极接线(14)，在所述前电极层(3)上有均匀间隔的第一条激光刻线(10)。
3.根据权利要求1所述的一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，其特征在于：所述第二条激光刻线(11)均匀刻划穿透P-I-N层(6)和背反射层(8)，所述第二条激光刻线(11)刻划方向与第一条激光刻线(9)方向平行，且与第一条激光刻线(9)的右侧壁沿的距离为0.90～1.06nm。
4.根据权利要求3所述的一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，其特征在于：所述P-I-N层(6)由P-SiC薄膜层(61)、I-a-Si:H薄膜层(62)和N-a-Si:H薄膜层(63)组成。
5.根据权利要求1所述的一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，其特征在于：所述氧化硅(SiO2)薄膜层(4)是利用干-湿-干热氧化在硅片(1)背面生长。
6.根据权利要求1所述的一种基于复合陷光结构的单晶PERC太阳能电池，其特征在于：所述背反射层(8)为三维大孔有序的掺铝氧化锌薄膜光子晶体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
