[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202010577508.3 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN113517253A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 杨吴德 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/065
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 浦彩华;姚开丽
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

发明公开了一种半导体封装件,包括第一基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第二基板、至少一个第一焊球、至少一个第二焊球以及至少一个第三焊球。第一半导体芯片设置在第一基板上。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上。第二基板设置在第二半导体芯片上。第一焊球垂直地设置于第一基板与第一半导体芯片之间。第二焊球垂直地设置于第二基板与第二半导体芯片之间。第三焊球垂直地设置于第一基板与第二基板之间。借此,即使在需要瞬间大电流的情形下,半导体封装件仍可良好地执行其功能。

技术领域

本发明内容是有关于一种半导体封装件。

背景技术

双芯片封装(dual-die packaging)技术被广泛地应用于将两个集成电路芯片封装于单一封装模块中,使得单一封装模块能够提供双倍的功能或数据存储容量。如动态随机存取存储(dynamic random access memory,DRAM)芯片的记忆芯片通常以此方式封装,以允许单一封装模块提供双倍的功能或数据存储容量。近年来,各种双芯片封装技术已被开发及利用于半导体产业中。

一般而言,金线常被广泛地应用于将电流从电源传输至DRAM芯片中。然而,当DRAM芯片于操作过程中(例如,高频率操作过程中)需要瞬间大电流时,在高频率操作下的金线会形成大的电阻,从而限制瞬间大电流的传输。如此一来,在DRAM芯片中将产生瞬间电压降,并最终导致芯片的误操作。因此,期望开发出一种具有改善的功能性的半导体装置以克服上述问题。

发明内容

本发明的目的是有关于一种在需要瞬间大电流的情形下,仍可良好地执行其功能的半导体封装件。

根据本发明一些实施方式,半导体封装件包括第一基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第二基板、至少一个第一焊球、至少一个第二焊球以及至少一个第三焊球。第一半导体芯片设置在第一基板上。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上。第二基板第一焊球垂直地设置于第一基板与第一半导体芯片之间。设置在二半导体芯片上。第二焊球垂直地设置于第二基板与第二半导体芯片之间。第三焊球垂直地设置于第一基板与第二基板之间。

在本发明一些实施方式中,第一半导体芯片的功能性表面面对第一基板。

在本发明一些实施方式中,第二半导体芯片的功能性表面面对第二基板。

在本发明一些实施方式中,第一焊球的尺寸小于第三焊球的尺寸。

在本发明一些实施方式中,第二焊球的尺寸小于第三焊球的尺寸。

在本发明一些实施方式中,第三焊球的球高度大于第一半导体芯片与第二半导体芯片的总厚度、第一焊球的球高度以及第二焊球的球高度之总和。

在本发明一些实施方式中,第三焊球由第一基板延伸至第二基板。

在本发明一些实施方式中,第三焊球横向地与第一半导体芯片及第二半导体芯片隔开。

在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第四焊球,设置于第一基板背对第三焊球的表面。

在本发明一些实施方式中,第四焊球与第三焊球电性连接。

在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第一铜柱以及至少一个第二铜柱,其中第一铜柱垂直地延伸于第一焊球与第一半导体芯片之间,且第二铜柱垂直地延伸于第二焊球与第二半导体芯片之间。

在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括粘胶层,夹置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。

在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第一重分布层,垂直地延伸于第一半导体芯片与第一焊球之间。

在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第二重分布层,垂直地延伸于第二半导体芯片与第二焊球之间。

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