[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 202010577508.3 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN113517253A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 杨吴德 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/065 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩华;姚开丽 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明公开了一种半导体封装件,包括第一基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第二基板、至少一个第一焊球、至少一个第二焊球以及至少一个第三焊球。第一半导体芯片设置在第一基板上。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上。第二基板设置在第二半导体芯片上。第一焊球垂直地设置于第一基板与第一半导体芯片之间。第二焊球垂直地设置于第二基板与第二半导体芯片之间。第三焊球垂直地设置于第一基板与第二基板之间。借此,即使在需要瞬间大电流的情形下,半导体封装件仍可良好地执行其功能。
技术领域
本发明内容是有关于一种半导体封装件。
背景技术
双芯片封装(dual-die packaging)技术被广泛地应用于将两个集成电路芯片封装于单一封装模块中,使得单一封装模块能够提供双倍的功能或数据存储容量。如动态随机存取存储(dynamic random access memory,DRAM)芯片的记忆芯片通常以此方式封装,以允许单一封装模块提供双倍的功能或数据存储容量。近年来,各种双芯片封装技术已被开发及利用于半导体产业中。
一般而言,金线常被广泛地应用于将电流从电源传输至DRAM芯片中。然而,当DRAM芯片于操作过程中(例如,高频率操作过程中)需要瞬间大电流时,在高频率操作下的金线会形成大的电阻,从而限制瞬间大电流的传输。如此一来,在DRAM芯片中将产生瞬间电压降,并最终导致芯片的误操作。因此,期望开发出一种具有改善的功能性的半导体装置以克服上述问题。
发明内容
本发明的目的是有关于一种在需要瞬间大电流的情形下,仍可良好地执行其功能的半导体封装件。
根据本发明一些实施方式,半导体封装件包括第一基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第二基板、至少一个第一焊球、至少一个第二焊球以及至少一个第三焊球。第一半导体芯片设置在第一基板上。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上。第二基板第一焊球垂直地设置于第一基板与第一半导体芯片之间。设置在二半导体芯片上。第二焊球垂直地设置于第二基板与第二半导体芯片之间。第三焊球垂直地设置于第一基板与第二基板之间。
在本发明一些实施方式中,第一半导体芯片的功能性表面面对第一基板。
在本发明一些实施方式中,第二半导体芯片的功能性表面面对第二基板。
在本发明一些实施方式中,第一焊球的尺寸小于第三焊球的尺寸。
在本发明一些实施方式中,第二焊球的尺寸小于第三焊球的尺寸。
在本发明一些实施方式中,第三焊球的球高度大于第一半导体芯片与第二半导体芯片的总厚度、第一焊球的球高度以及第二焊球的球高度之总和。
在本发明一些实施方式中,第三焊球由第一基板延伸至第二基板。
在本发明一些实施方式中,第三焊球横向地与第一半导体芯片及第二半导体芯片隔开。
在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第四焊球,设置于第一基板背对第三焊球的表面。
在本发明一些实施方式中,第四焊球与第三焊球电性连接。
在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第一铜柱以及至少一个第二铜柱,其中第一铜柱垂直地延伸于第一焊球与第一半导体芯片之间,且第二铜柱垂直地延伸于第二焊球与第二半导体芯片之间。
在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括粘胶层,夹置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。
在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第一重分布层,垂直地延伸于第一半导体芯片与第一焊球之间。
在本发明一些实施方式中,半导体封装件还包括至少一个第二重分布层,垂直地延伸于第二半导体芯片与第二焊球之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010577508.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。