[发明专利]电源转换器以及用于控制电源转换器的方法和控制器

权利要求书

1.一种操作电源转换器的方法，包括：

对耦合到布置用于回扫操作的变压器的次级绕组的缓冲电容器进行充电，在所述变压器的初级绕组的充电模式期间进行所述充电；

用来自所述缓冲电容器的电流对次级场效应晶体管FET的栅极充电，在所述初级绕组的放电模式期间对所述栅极进行充电，所述放电模式与所述充电模式相接；

提供通过次级整流器和所述次级FET到所述电源转换器的次级输出节点的电流，所述次级整流器与所述次级FET串联耦合；以及

使所述次级FET不导通。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对导通的所述次级FET的所述栅极进行充电进一步包括：在所述充电模式结束之后但在与所述次级FET串联耦合的所述次级整流器被正向偏置之前，对所述栅极充电。

3.根据权利要求1所述的方法，其中对所述栅极充电进一步包括：在所述次级绕组两端的电压在从所述充电模式期间的负极性到所述放电模式期间的正极性的电压摆动中达到零伏之前，对所述栅极充电。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述次级FET不导通进一步包括：在所述次级整流器被正向偏置的同时，使所述次级FET不导通，并且使所述次级FET变为不导通结束所述次级FET的接通时间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述次级FET不导通进一步包括在所述放电模式期间使所述次级FET不导通。

6.一种用于电源转换器的控制器，所述控制器包括：

栅极端子、源极端子和反馈端子；

箝位电路，所述箝位电路耦合在所述栅极端子和所述源极端子之间，所述箝位电路被配置为当电流流入所述栅极端子中时，将所述栅极端子处的电压相对于所述源极端子箝位为预定电压；

短接电路，所述短接电路限定控制输入，并且所述短接电路耦合在所述栅极端子和所述源极端子之间，所述短接电路被配置为响应于所述控制输入的断言而将所述栅极端子耦合到所述源极端子；和

电压控制器，所述电压控制器耦合到所述反馈端子和所述控制输入，所述电压控制器被配置为感测所述电源转换器的每个放电模式，并且所述电压控制器被配置为在每个放电模式期间，基于所述反馈端子处的电压调制所述箝位电路以所述预定电压进行箝位的时间长度。

7.根据权利要求6所述的控制器，其中所述短接电路被进一步配置为在所述电源转换器的充电模式期间提供从所述源极端子到所述栅极端子的电流。

8.一种切换电源转换器，包括：

初级侧，所述初级侧包括：

变压器的初级绕组；

主开关，所述主开关耦合在所述初级绕组和所述初级侧上的参考电压之间，所述主开关限定控制输入；

初级侧控制器，所述初级侧控制器耦合到所述主开关的所述控制输入和电压反馈电路，所述初级侧控制器被配置为基于指示低侧电压输出的电压来控制所述主开关；

次级侧，所述次级侧包括：

所述变压器的低侧次级绕组，所述低侧次级绕组耦合到所述低侧电压输出；

低侧整流器，所述低侧整流器耦合在所述低侧次级绕组和所述低侧电压输出之间，所述低侧次级绕组和所述低侧整流器被布置用于所述低侧次级绕组的回扫操作；

所述变压器的高侧次级绕组，所述高侧次级绕组耦合到高侧电压输出；

高侧整流器，所述高侧整流器限定阳极和阴极，所述阳极耦合到所述高侧次级绕组；

缓冲电容器，所述缓冲电容器具有耦合到所述高侧整流器的所述阳极的第一引线；

次级场效应晶体管FET，所述次级场效应晶体管耦合在所述高侧整流器的所述阴极和所述高侧电压输出之间；

次级侧控制器，所述次级侧控制器耦合到所述次级FET的栅极、所述次级FET的源极和所述高侧电压输出，所述次级侧控制器被配置为感测所述切换电源转换器的每个放电模式，并且在每个放电模式期间基于所述高侧电压输出的电压来控制所述次级FET导通的时间长度。