[发明专利]利用可选择的表面粘附转移元件的转移基底在审
申请号: | 202010576700.0 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN112133660A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王蕴达;S·雷乔杜利;J·卢 | 申请(专利权)人: | 帕洛阿尔托研究中心公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曹凌;王丽辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 可选择 表面 粘附 转移 元件 基底 | ||
一种设备包括具有两个或更多个转移元件的转移基底。每个转移元件包括在第一温度下具有第一表面粘附力并且在第二温度下具有第二表面粘附力的粘附元件。第二表面粘附力小于第一表面粘附力。每个转移元件具有热元件,热元件可操作以响应于输入而改变粘附元件的温度。耦接控制器以向两个或更多个转移元件中的热元件提供输入,以响应于转移元件的子集的第一表面粘附力与第二表面粘附力之间的变化,致使转移元件的子集可选择地将对象保持在转移基底以及从转移基底释放对象。
发明内容
本公开涉及利用可选择的表面粘附元件的转移基底。在一个实施方案中,设备包括具有两个或更多个转移元件的转移基底。每个转移元件包括在第一温度下具有第一表面粘附力并且在第二温度下具有第二表面粘附力的粘附元件。第二表面粘附力小于第一表面粘附力。每个转移元件具有热元件,热元件可操作以响应于输入而改变粘附元件的温度。耦接控制器以向两个或更多个转移元件中的热元件提供输入,以响应于转移元件子集的第一表面粘附力与第二表面粘附力之间的变化,致使转移元件子集可选择地将对象保持在转移基底以及从转移基底释放对象。
在另一个实施方案中,一种方法涉及向转移基底上多个转移元件的子集施加第一输入。多个转移元件中的每一个具有热元件和
热耦接到粘附元件的粘附元件。第一输入致使转移元件子集中的每个转移元件达到第一温度,以使得子集中每个转移元件的每个粘附元件达到第一表面粘附力。不在子集中的其他转移元件处于第二温度下,该第二温度致使其他转移元件的每个粘附元件达到小于第一表面粘附力的第二表面粘附力。致使至少转移元件子集接触供体基底上多个对象中的对象的相应对象子集。将转移基底从供体基底移开。对象子集以第一表面粘附力粘附到转移元件子集,并且与转移基底一起移动。致使转移基底上的对象子集接触目标基底,并且将对象子集从转移基底转移到目标基底。
在另一个实施方案中,一种方法涉及致使多个转移元件接触供体基底上对应多个对象。每个转移元件包括在第一温度下具有第一表面粘附力并且在第二温度下具有第二表面粘附力的粘附元件。第二表面粘附力小于第一表面粘附力。转移元件还各自包括可操作以改变粘附元件的温度的热元件。向多个转移元件的子集的热元件施加第一输入,致使转移元件子集中每个转移元件的粘附元件达到第一表面粘附力。不在子集中的其他转移元件的粘附元件
为第二表面粘附力。将转移基底从供体基底移开,以使得对象的对应子集粘附到转移元件子集上,并且与转移基底一起移动。致使转移基底上的对象子集接触目标基底。将对象子集从转移基底转移到目标基底。
根据以下详细论述和附图,可以了解各种实施方案的这些和其他特征和方面。
附图说明
下面的论述参考以下附图,其中同一附图标记可用于识别多个附图中的类似/相同部件。图未必按比例绘制。
图1和图2为示出根据示例实施方案的组装过程的框图;
图3为根据示例实施方案的设备的侧视图;
图4和图5为根据示例实施方案的用于转移基底的切换矩阵的示意图;
图6为根据示例实施方案的转移基底的侧视图;
图7和图8为根据各种示例实施方案的转移基底的侧视图;
图9A和图9B为根据示例实施方案的方法的图;并且
图10为示出根据示例实施方案的用于粘附元件的聚合物的粘附性质的曲线图。
具体实施方式
本公开涉及对象的操纵和组装,并且在一些实施方案中,涉及经由转移基底的微对象的质量组装。一些电子器件通过将小对象机械地盖在彼此顶部来制造。虽然微电子部件和微光学部件有时使用晶片形成技术诸如层沉积、掩模和蚀刻来制造,但是某些类别的材料彼此生长不兼容。在此类情况下,组装可涉及在第一基底上形成一类器件,并且在第二基底上形成第二类器件,然后例如经由倒装芯片或转移印刷技术将它们机械地连接在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造