[发明专利]失效数据修复电路和方法、非挥发性存储器、可读存储介质在审

专利信息
申请号: 202010576095.7 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111755060A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 洪亮 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C29/44
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 失效 数据 修复 电路 方法 挥发性 存储器 可读 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种失效数据修复电路,其特征在于,用于非挥发性存储器,所述非挥发性存储器内部具有一灵敏放大器,所述失效数据修复电路包括:

主控制单元,其被配置为获取外部使能信号,基于所述外部使能信号驱动读操作控制单元,并用于在所述非挥发性存储器出现数据保持失效故障时,驱动存储器电流放大单元和/或偏置电压生成单元;

读操作控制单元,其被配置为对所述非挥发性存储器按照一读时钟进行读操作,并将对应的读出结果发送给读出结果处理单元,其中,所述非挥发性存储器中存储有正值和反值,所述反值为所述正值按位取反后得到的值,所述正值的读出结果为第一读出结果,所述反值的读出结果为第二读出结果;

读出结果处理单元,其被配置为获取所述第一读出结果以及所述第二读出结果,并将所述第一读出结果与所述第二读出结果进行比较以判断所述非挥发性存储器是否出现数据保持失效故障,并将比较结果发送给所述主控制单元;

存储器电流放大单元,其被配置为根据所述主控制单元以及所述比较结果决定是否放大所述非挥发性存储器的存储单元电流,并输出给所述灵敏放大器;

偏置电压生成单元,其被配置为根据所述主控制单元以及所述比较结果决定是否输出偏置电压给所述非挥发性存储器的存储单元栅极。

2.如权利要求1所述的失效数据修复电路,其特征在于,所述存储器电流放大单元包括:

电流镜控制单元,其被配置为根据所述主控制单元以及所述比较结果决定是否发送放大倍数给电流镜单元;

电流镜单元,其被配置为基于所述放大倍数放大所述非挥发性存储器的存储单元电流,并输出给所述灵敏放大器。

3.如权利要求2所述的失效数据修复电路,其特征在于,所述偏置电压生成单元包括:

电压控制单元,其被配置为根据所述主控制单元以及所述比较结果决定是否发送数字调节信号给数模转换单元;

数模转换单元,其被配置为基于所述数字调节信号输出偏置电压给所述非挥发性存储器的存储单元栅极。

4.如权利要求3所述的失效数据修复电路,其特征在于,当所述第一读出结果以及所述第二读出结果均为0或均为1时,所述读出结果处理单元判断所述非挥发性存储器出现数据保持失效故障。

5.如权利要求4所述的失效数据修复电路,其特征在于,若所述第一读出结果以及所述第二读出结果均为0时,所述失效数据修复电路按照第一策略处理,所述第一策略包括:

所述读出结果处理单元将所述比较结果发送给所述主控制单元;

所述主控制单元驱动所述电压控制单元,

所述电压控制单元发送所述数字调节信号给所述数模转换单元;

所述数模转换单元基于所述数字调节信号发送所述偏置电压给所述非挥发性存储器的存储单元栅极,其中,所述偏置电压为负值;

所述电压控制单元通过不断调整所述数字调节信号以使所述偏置电压的绝对值逐步增大,直至所述读操作控制单元获取的所述第一读出结果以及所述第二读出结果为正确值。

6.如权利要求5所述的失效数据修复电路,其特征在于,若所述失效数据修复电路在按照所述第一策略处理过程中,出现所述第一读出结果以及所述第二读出结果均为1时,所述失效数据修复电路做以下处理:

所述读出结果处理单元将所述比较结果发送给所述主控制单元;

所述主控制单元驱动所述电流镜控制单元;

所述电流镜控制单元发送所述放大倍数给所述电流镜单元;

所述电流镜单元基于所述放大倍数放大所述非挥发性存储器的存储单元电流,并输出给所述灵敏放大器;

所述电流镜控制单元通过不断调整所述放大倍数以使所述非挥发性存储器的存储单元电流逐步增大,直至所述读操作控制单元获取的所述第一读出结果以及所述第二读出结果为正确值。

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