[发明专利]多熔丝记忆体单元电路在审
| 申请号： | 202010573302.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112151098A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩;周绍禹;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多熔丝 记忆体 单元 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种多熔丝记忆体单元电路，其特征在于，包括：
一第一熔丝元件，电耦合至一第一晶体管，其中该第一晶体管的一栅极电耦合至一第一选择信号；
一第二熔丝元件，电耦合至一第二晶体管，其中该第二晶体管的一栅极电耦合至一第二选择信号，其中该第一晶体管及该第二晶体管均耦合至接地电压；以及
一编程晶体管，电耦合至该第一熔丝元件及该第二熔丝元件，其中该编程晶体管的一栅极电耦合至一编程信号。
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