[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，所述蚀刻方法的特征在于：

所述环状部件包括第1环状部件和比所述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，

所述第1环状部件的至少一部分配置在所述基片的外周部的下表面与所述支承台的上表面之间的空间，

所述蚀刻方法包括：

根据所述第2环状部件的消耗量，利用所述第1环状部件调整所述空间的介电常数的工序；和

蚀刻所述基片的工序。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

调整所述空间的介电常数的工序改变所述第1环状部件的材质、厚度和形状的至少任一者来进行调整。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

调整所述空间的介电常数的工序改变相对于所述第2环状部件的介电常数的、所述第1环状部件的介电常数，来进行调整。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第1环状部件在周向被分割为多个，在周向调整所述空间的介电常数。

5.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于：

相邻的所述第1环状部件的材质、厚度和形状的至少任一者不同。

6.如权利要求4或5所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第1环状部件根据所述基片的外周部的蚀刻特性将介电常数不同的多个所述第1环状部件配置在周向上。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第1环状部件的材质为石英、陶瓷、树脂、硅或硅碳化物的任一种。

8.如权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述陶瓷为氧化铝、氧化锆或堇青石的任一种。

9.如权利要求7或8所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述树脂为PTFE或PEEK的任一种。

10.一种等离子体处理装置，其特征在于：

具有实施权利要求1～9中任一项所述的蚀刻方法的控制部。