[发明专利]存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种操作存储器设备的方法，包括：

向耦合到多个存储器单元的字线施加编程电压；

通过将耦合到所述多个存储器单元的多个位线的电位设置为预先确定的水平，来执行位线预充电操作；以及

基于所述多个存储器单元中的每个存储器单元的目标编程状态，通过在不同的时间点处向所述多个位线施加编程使能电压，来执行位线放电操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线预充电操作包括：基于所述目标编程状态，向所述多个位线施加所述编程使能电压或编程禁止电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述位线预充电操作包括：向与目标编程状态是最高编程状态的存储器单元耦合的位线施加所述编程使能电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述位线预充电操作包括：向与目标编程状态是除最高编程状态之外的编程状态的存储器单元耦合的位线施加所述编程禁止电压。

5.根据权利要求2所述的方法，

其中所述编程禁止电压是电源电压，并且

其中所述编程使能电压低于所述编程禁止电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线放电操作包括：在向与要被编程为第一编程状态的单元耦合的第一位线施加所述编程使能电压之前，向与要被编程为第二编程状态的单元耦合的第二位线施加所述编程使能电压，所述第二编程状态高于所述第一编程状态。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括向所述字线施加接地电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线放电操作包括：在所述字线的电位被放电到接地电压的时段的全部或部分期间，向与目标编程状态低于基准编程状态的存储器单元耦合的位线施加所述编程使能电压。

9.一种操作存储器设备的方法，包括：

向与多个存储器单元耦合的字线施加编程电压；

通过将耦合到所述多个存储器单元的多个位线的电位设置为预先确定的水平来执行位线预充电操作；以及

通过向所述多个位线施加编程使能电压，来执行位线放电操作，

其中所述编程使能电压的水平以及向相应的所述多个位线施加所述编程使能电压的时间点基于所述多个存储器单元的目标编程状态而被确定。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述位线放电操作包括：向与要被编程为第一编程状态的单元耦合的第一位线和与要被编程为第二编程状态的单元耦合的第二位线施加相同的编程使能电压，

其中所述第二编程状态高于所述第一编程状态，并且

其中所述编程使能电压在被施加到所述第一位线之前被施加到所述第二位线。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述位线放电操作包括：向与要被编程为第一编程状态的单元耦合的第一位线和与要被编程为第二编程状态的单元耦合的第二位线同时施加编程使能电压，

其中所述第二编程状态高于所述第一编程状态，并且

其中要被施加到所述第二位线的所述编程使能电压的水平低于要被施加到所述第一位线的所述编程使能电压的水平。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述位线预充电操作包括：基于所述目标编程状态，向所述多个位线施加所述编程使能电压或编程禁止电压。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：向所述字线施加接地电压。