[发明专利]半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备

说明书

本发明实施例公开了一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，所述方法包括：基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格的晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。通过本方法，可以提高镀膜工艺的工作效率。

技术领域

本发明涉及光伏设备技术领域，尤其涉及一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备。

背景技术

随着晶体硅的制造技术提升，基体晶片的体载流子寿命不断提高，已经不再是制约电池效率提升的关键因素。在电池的生产过程中，为降低成本以及技术的不断发展，晶片越来越薄。随之产生的问题就是电池表面的复合严重，降低了电池的转化效率，这就为太阳能电池表面镀膜技术提出了新的挑战。

在实际的量产的太阳能电池镀膜工艺中，每当一炉工艺结束后，质检员都会对晶片的膜厚进行检测，当检测到不合格的晶片膜厚时，会将不合格的晶片信息交给具有一定经验的工艺人员；工艺人员根据经验给出需要调整工艺的参数；然后输入到设备的软件中，这样设备的下一炉工艺将按照新的工艺参数进行工艺。

现有的提高镀膜工艺膜厚合格率的方案是建立在两种工种的配合模式下，需要质检员和工艺员的合作才可以对镀膜工艺进行优化，从而提高膜厚合格率。两种工种的配合就增加了人力成本，而且跨部门的合作也降低了工作的效率。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，以解决现有技术中在为提高电池表面的镀膜工艺的合格率时，存在的人力成本较高，工作效率较低的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供的一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，包括：

基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息；

基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；

基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

可选地，所述基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定对应的温度参数调整方案，包括：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

可选地，所述基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案，包括：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

可选地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述显示热偶进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第一温度参数；