[发明专利]树脂封装材料及QLED器件的制备方法

说明书

本申请提供一种树脂封装材料及QLED器件的制备方法，属于封装材料领域。树脂封装材料的制备方法包括：将环氧树脂采用氟化物质进行改性处理，得到氟改性体系；将所述氟改性体系和二聚酸在85～95℃的条件下进行第一反应，使得所述氟改性体系的部分环氧基参与反应，得到环氧中间体系；将所述环氧中间体系和丙烯酸在100～110℃的条件下进行第二反应。QLED器件的制备方法包括采用该树脂封装材料的制备方法制备树脂封装材料。制得的树脂封装材料具有良好的水氧隔离效果和韧性，对QLED器件具有良好的保护效果，能有效提升QLED器件的使用寿命。

技术领域

本申请涉及封装材料领域，具体而言，涉及一种树脂封装材料及QLED器件的制备方法。

背景技术

QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)器件的发光寿命受到环境中水氧的影响会急剧减少，因此QLED器件的封装显得尤为重要。现有技术中，普遍采用UV树脂对QLED器件进行封装，但是UV树脂的水氧隔离效果不能很好地满足使用要求，使得QLED器件的使用寿命难以达到性能要求。

发明内容

本申请的目的在于提供一种树脂封装材料及QLED器件的制备方法，制得的树脂封装材料具有良好的水氧隔离效果和韧性，对QLED器件具有良好的保护效果，能有效提升QLED器件的使用寿命。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种树脂封装材料的制备方法，包括：

将环氧树脂采用氟化物质进行改性处理，得到氟改性体系；

将氟改性体系和二聚酸在85～95℃的条件下进行第一反应，使得氟改性体系的部分环氧基参与反应，得到环氧中间体系；

将环氧中间体系和丙烯酸在100～110℃的条件下进行第二反应。

第二方面，本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法，包括：采用如第一方面实施例提供的制备方法制备树脂封装材料。

本申请实施例提供的树脂封装材料及QLED器件的制备方法，有益效果包括：

将环氧树脂采用氟化物质进行改性处理，由于氟化物质具有优异的耐化学腐蚀性、耐候性和疏水疏油性，能够改善环氧树脂的疏水性，使得制得的树脂封装材料具有良好的水氧隔离效果。同时氟化物质具有较好的自清洁性和高透光性，能够较好地满足封装材料的性能要求。

发明人研究发现，环氧树脂的韧性较小，而QLED器件中不同材料热膨胀系数不一致，各功能层间产生的应力难以释放，容易产生黑斑问题进而导致器件失效。

将氟改性体系和二聚酸进行反应，由于二聚酸中含有化学惰性的长烷烃链与脂环结构，将二聚酸中该非极性的烷烃及脂环引入交联体系中，能够增加氟改性环氧体系的韧性，使得制得的封装材料能够较好地释放各功能层间产生的应力。同时，二聚酸中长烃基侧链和脂环结构具有疏水性，能够减小氟改性环氧体系的平衡吸水率，使得水分子在氟改性环氧体系中的扩散系数明显下降，从而显著提高封装材料的水氧隔离效果。而且，二聚酸价格低廉、可再生且可生物降解，使得封装材料的成本低且环保性好。

二聚酸能够在85～95℃的条件下与环氧基较好地反应生成中间体，然后中间体能够在100～110℃的条件下较好地与环氧基反应；丙烯酸能够在100～110℃的条件下较好地与环氧基反应。在反应过程中，先将二聚酸在85～95℃的条件下与体系中的部分环氧基进行第一反应，然后再将体系与丙烯酸在100～110℃的条件下进行反应，使得二聚酸和丙烯酸都能可控地与体系中的环氧基进行反应，且反应效率高。

具体实施方式