[发明专利]一种基于古斯汉森位移的调控装置及调控方法有效
| 申请号: | 202010571517.1 | 申请日: | 2020-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN111928781B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 唐婷婷;余博;毛英慧;李朝阳;沈健 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
| 主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;G02F1/01 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 阳佑虹 |
| 地址: | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 古斯汉森 位移 调控 装置 方法 | ||
1.一种基于古斯汉森位移的调控装置,其特征在于:包括激光器、第一透镜、第二透镜、第一偏振镜、棱镜、四分之一波片、半波片、第二偏振镜以及图像传感器,所述激光器用于生成不同波长的激光光源;所述第一透镜与所述第二透镜均为聚焦透镜,且第一透镜与第二透镜共焦设置;所述第一透镜、所述第二透镜以及所述第一偏振镜沿激光器出射光源方向依次设置,且光源经过第一偏振镜之后进入棱镜;所述四分之一波片、所述半波片以及所述第二偏振镜沿棱镜反射之后的光源方向依次设置,且光源经过第二偏振镜之后进入所述图像传感器;电磁铁设置在所述棱镜上方和/或下方,且磁感应方向与棱镜的竖轴垂直;所述棱镜斜面贴合设置一维光子晶体;所述棱镜上方设有加热板;所述一维光子晶体包括石墨烯层与二氧化钒层,所述石墨烯层与所述二氧化钒层交替成周期设置,周期数设置为20。
2.根据权利要求1所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置,其特征在于:所述第一偏振镜与所述第二偏振镜均为格兰激光偏振镜。
3.根据权利要求2所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置,其特征在于:所述激光器出射激光光源的频率为5THz。
4.根据权利要求3所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置,其特征在于:所述棱镜为BK7棱镜。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置,其特征在于:所述第一透镜的焦距为125mm;所述第二透镜的焦距为250mm。
6.根据权利要求5所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法,其特征在于:所述基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法步骤包括:
沿激光器出射光源的方向,依次搭建第一透镜、第二透镜、第一偏振镜以及棱镜,沿棱镜发射光源方向依次搭建四分之一波片、半波片、第二偏振镜以及图像传感器;
调节第一偏振镜与第二偏振镜,直到从棱镜反射的光强呈现出左右分裂的光斑;
缓慢转动棱镜同时微调四分之一波片与半波片,直到图像传感器上呈现出大小相等且强度相同,相互对称的光斑;
采用控制变量的方法,控制磁场强度不变,改变加热板的温度,使得质心位移在图像传感器上的范围变化为0-800倍波长;所述图像传感器上的质心位移为放大后古斯汉森位移。
7.根据权利要求6所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法,其特征在于:所述加热板的温度变化范围为298k-358k。
8.根据权利要求6所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法,其特征在于:所述基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法步骤包括:
沿激光器出射光源的方向,依次搭建第一透镜、第二透镜、第一偏振镜以及棱镜,沿棱镜发射光源方向依次搭建四分之一波片、半波片、第二偏振镜以及图像传感器;
调节第一偏振镜与第二偏振镜,直到从棱镜反射的光强呈现出左右分裂的光斑;
缓慢转动棱镜同时微调四分之一波片与半波片,直到图像传感器上呈现出大小相等且强度相同,相互对称的光斑;
采用控制变量的方法,控制温度大小不变,改变磁场强度的大小,使得质心位移在图像传感器上的变化范围为0-800波长;所述图像传感器上的质心位移为古斯汉森位移。
9.根据权利要求8所述的一种基于古斯汉森位移的调控装置的调控方法,其特征在于:所述磁场强度变化范围为0-10T。
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