[发明专利]一种超低功耗的欠压保护电路

权利要求书

1.一种超低功耗的欠压保护电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一NPN型三极管、第一电阻、第一电容、比较器、逻辑模块和开关模块，

第一NMOS管的栅漏短接并连接第二NMOS管的栅极和偏置电流，其源极连接第二NMOS管的源极并接地；

第一NPN型三极管的基极和集电极连接第一电容的一端和所述欠压保护电路的输入信号，其发射极连接第一电容的另一端并通过第一电阻后连接第二NMOS管的漏极和比较器的正相输入端；

比较器的反相输入端由所述开关模块控制连接第一参考电压或第二参考电压，其中第一参考电压的电压值小于第二参考电压的电压值；

所述逻辑模块将比较器的输出信号进行反相、放大并经过一个施密特触发器后产生所述欠压保护电路的输出信号；

当所述欠压保护电路的输入信号低于其下限值时，比较器正相输入端的信号低于其反相输入端的信号，比较器输出翻低，所述欠压保护电路的输出信号为高电平，表示所述欠压保护电路的输入信号为欠压状态，所述开关模块控制比较器的反相输入端连接的信号从第一参考电压切换为第二参考电压；

当所述欠压保护电路的输入信号高于其上限值时，比较器正相输入端的信号高于其反相输入端的信号，比较器输出翻高，所述欠压保护电路的输出信号为低电平，表示所述欠压保护电路的输入信号没有欠压，所述开关模块控制比较器的反相输入端连接的信号从第二参考电压切换为第一参考电压。

2.根据权利要求1所述的超低功耗的欠压保护电路，其特征在于，所述比较器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第二低阈值NMOS管和第三低阈值NMOS管，

第三NMOS管的栅极连接第四NMOS管和第二低阈值NMOS管的栅极并作为所述比较器的正相输入端，其漏极连接第四NMOS管的源极，其源极连接第五NMOS管的源极、第六NMOS管的漏极和第九NMOS管的漏极；

第二低阈值NMOS管的漏极连接第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极，其源极连接第四NMOS管的漏极；

第五NMOS管的栅极连接第三低阈值NMOS管的栅极并作为所述比较器的反相输入端，其漏极连接第三低阈值NMOS管的源极；

第二PMOS管的漏极连接第三低阈值NMOS管的漏极并作为所述比较器的输出端，其源极连接第一PMOS管的源极并连接电源电压；

第七NMOS管的栅极连接第六NMOS管和第八NMOS管的栅极以及第一NMOS管的栅极，其漏极连接第六NMOS管的源极，其源极连接第八NMOS管的源极并接地；

第九NMOS管的栅极连接使能信号，其源极连接第八NMOS管的漏极。

3.根据权利要求1或2所述的超低功耗的欠压保护电路，其特征在于，所述逻辑模块包括第三PMOS管、第十NMOS管、第十三NMOS管、第一低阈值NMOS管、施密特触发器和反相器，

第三PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端，其源极连接电源电压，其漏极连接第十三NMOS管的漏极和施密特触发器的输入端；

第十NMOS管的栅极连接第一低阈值NMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，其漏极连接第一低阈值NMOS管的源极，其源极接地；

第十三NMOS管的栅极连接使能信号，其源极连接第一低阈值NMOS管的漏极；

反相器的输入端连接施密特触发器的输出端，其输出端输出所述欠压保护电路的输出信号。

4.根据权利要求3所述的超低功耗的欠压保护电路，其特征在于，所述逻辑模块还包括第十一NMOS管和第十二NMOS管，第十二NMOS管的栅极连接施密特触发器的输出端，其漏极连接第一低阈值NMOS管的源极，其源极连接第十一NMOS管的漏极；第十一NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极，其源极接地。

5.根据权利要求1、2或4任一项所述的超低功耗的欠压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括第一传输门和第二传输门，第一传输门中NMOS管的漏极和PMOS管的源极互连并作为第一传输门的一端连接所述第二参考电压，第一传输门中NMOS管的源极和PMOS管的漏极互连并作为第一传输门的另一端连接所述比较器的反相输入端；第二传输门中NMOS管的漏极和PMOS管的源极互连并作为第二传输门的一端连接所述第一参考电压，第二传输门中NMOS管的源极和PMOS管的漏极互连并作为第二传输门的另一端连接所述比较器的反相输入端；第一反相器的输入端连接第一传输门中PMOS管的栅极和第二传输门中NMOS管的栅极，第一反相器的输出端连接第一传输门中NMOS管的栅极和第二传输门中PMOS管的栅极。