[发明专利]半导体衬底的刻蚀方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括：

通过调节指定工艺参数来对覆盖在半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，以使所述掩膜图形的横向收缩速率大于所述半导体衬底的横向收缩速率；

对覆盖有刻蚀后的所述掩膜图形的所述半导体衬底进行刻蚀，以获得期望形貌的衬底图形。

2.如权利要求1所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述指定工艺参数包括反应压力；

所述通过调节指定工艺参数来对半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，包括：

提高所述反应压力，并对所述掩膜图形进行刻蚀。

3.如权利要求2所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述反应压力的取值范围为5mT-50mT。

4.如权利要求2所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述指定工艺参数还包括对所述掩膜图形的刻蚀速率大于对所述半导体衬底的刻蚀速率的刻蚀气体。

5.如权利要求4所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述通过调节指定工艺参数来对半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，包括：

在所述半导体腔室中增加氩气和氮气中的至少一种，并对所述掩膜图形进行刻蚀。

6.如权利要求2所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述指定工艺参数还包括偏压功率；

所述通过调节指定工艺参数来对半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，还包括：

提高所述偏压功率，并对所述掩膜图形进行刻蚀。

7.如权利要求6所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述偏压功率的取值范围为800W-1200W。

8.如权利要求1所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，在所述通过调节指定工艺参数来对半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀之前，还包括：

根据刻蚀前的所述掩膜图形的横向截面宽度，来设定刻蚀所述掩膜图形的工艺时长。

9.如权利要求1或5所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体衬底包括氧化铝衬底和设置在所述氧化铝衬底上的二氧化硅层；所述掩膜图形形成在所述二氧化硅层上，且采用光刻胶制成；或者，

所述半导体衬底包括二氧化硅衬底；所述掩膜图形形成在所述二氧化硅衬底上，且采用光刻胶制成。

10.如权利要求1-8任意一项所述的半导体衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述对覆盖有刻蚀后的所述掩膜图形的半导体衬底进行刻蚀，包括：

刻蚀所述半导体衬底，以获得第一图形，所述第一图形的刻蚀高度达到目标刻蚀高度；

刻蚀所述第一图形，以通过修饰所述第一图形的截面形貌，获得所述期望形貌的衬底图形。