[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010567638.9 | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN111694464A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
| 发明(设计)人: | 王炎;陈延青;李伟;王宁;秦伟达;张昭;李静;杨峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法包括:
提供衬底;所述衬底具有显示区及边框区;
在所述衬底的一侧形成栅导电层;所述栅导电层包括多个薄膜晶体管的栅极及位于所述边框区的至少一个第一对位标记;
在所述栅导电层远离所述衬底的一侧形成源漏导电薄膜;
根据所述至少一个第一对位标记,将第一掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第一掩膜板为遮蔽物对所述源漏导电薄膜进行图案化,形成所述多个薄膜晶体管的源极和漏极,及位于所述边框区的至少一个第二对位标记,得到源漏导电层;源漏导电层的反射率大于栅导电层的反射率;
在所述源漏导电层远离所述衬底的一侧形成黑矩阵薄膜;
根据所述至少一个第二对位标记,将第二掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第二掩膜板为遮蔽物对所述黑矩阵薄膜进行图案化,形成黑矩阵;所述多个薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底上的正投影范围内;
在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成滤色层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述源漏导电薄膜包括依次层叠的第一钛薄膜、铝薄膜以及第二钛薄膜;或者,
所述源漏导电薄膜包括银薄膜。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述栅导电层的材料包括钼。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述滤色层包括多种颜色的滤色部;
所述在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成滤色层,包括:依次形成每种颜色的滤色部;
其中,形成一种颜色的滤色部,包括:
在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成一种颜色的滤色薄膜;
根据所述至少一个第二对位标记,将第三掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第三掩膜板为遮蔽物对所述滤色薄膜进行图案化,形成多个该种颜色的滤色部。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法还包括:
在所述滤色层远离所述衬底的一侧形成第一电极薄膜;
根据所述至少一个第二对位标记,将第四掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第四掩膜板为遮蔽物对所述第一电极薄膜进行图案化,形成第一电极层;
在所述第一电极层远离所述衬底的一侧形成第二电极薄膜;
根据所述至少一个第二对位标记,将第五掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第五掩膜板为遮蔽物对所述第二电极薄膜进行图案化,形成第二电极层;
其中,所述第一电极层或所述第二电极层,与所述多个薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
6.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底;
设置在所述衬底的一侧的多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;
设置在所述多个薄膜晶体管远离所述衬底一侧的黑矩阵;所述多个薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底上的正投影范围内;以及,
设置在所述黑矩阵远离所述衬底一侧的滤色层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
设置在所述滤色层远离所述衬底一侧的第一电极层,所述第一电极层包括多个第一电极;以及,
设置在所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层,所述第二电极层包括多个第二电极;第二电极具有多个狭缝;
其中,第一电极为像素电极,第二电极为公共电极;或者,第一电极为公共电极,第二电极为像素电极;
所述像素电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,多个所述公共电极中的至少两个公共电极相互电连接。
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