[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202010567638.9 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111694464A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 王炎;陈延青;李伟;王宁;秦伟达;张昭;李静;杨峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77;H01L23/544
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法包括:

提供衬底;所述衬底具有显示区及边框区;

在所述衬底的一侧形成栅导电层;所述栅导电层包括多个薄膜晶体管的栅极及位于所述边框区的至少一个第一对位标记;

在所述栅导电层远离所述衬底的一侧形成源漏导电薄膜;

根据所述至少一个第一对位标记,将第一掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第一掩膜板为遮蔽物对所述源漏导电薄膜进行图案化,形成所述多个薄膜晶体管的源极和漏极,及位于所述边框区的至少一个第二对位标记,得到源漏导电层;源漏导电层的反射率大于栅导电层的反射率;

在所述源漏导电层远离所述衬底的一侧形成黑矩阵薄膜;

根据所述至少一个第二对位标记,将第二掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第二掩膜板为遮蔽物对所述黑矩阵薄膜进行图案化,形成黑矩阵;所述多个薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底上的正投影范围内;

在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成滤色层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述源漏导电薄膜包括依次层叠的第一钛薄膜、铝薄膜以及第二钛薄膜;或者,

所述源漏导电薄膜包括银薄膜。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述栅导电层的材料包括钼。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述滤色层包括多种颜色的滤色部;

所述在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成滤色层,包括:依次形成每种颜色的滤色部;

其中,形成一种颜色的滤色部,包括:

在所述黑矩阵远离所述衬底的一侧形成一种颜色的滤色薄膜;

根据所述至少一个第二对位标记,将第三掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第三掩膜板为遮蔽物对所述滤色薄膜进行图案化,形成多个该种颜色的滤色部。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法还包括:

在所述滤色层远离所述衬底的一侧形成第一电极薄膜;

根据所述至少一个第二对位标记,将第四掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第四掩膜板为遮蔽物对所述第一电极薄膜进行图案化,形成第一电极层;

在所述第一电极层远离所述衬底的一侧形成第二电极薄膜;

根据所述至少一个第二对位标记,将第五掩膜板与待形成的阵列基板进行对位;以所述第五掩膜板为遮蔽物对所述第二电极薄膜进行图案化,形成第二电极层;

其中,所述第一电极层或所述第二电极层,与所述多个薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

6.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底;

设置在所述衬底的一侧的多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;

设置在所述多个薄膜晶体管远离所述衬底一侧的黑矩阵;所述多个薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底上的正投影范围内;以及,

设置在所述黑矩阵远离所述衬底一侧的滤色层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:

设置在所述滤色层远离所述衬底一侧的第一电极层,所述第一电极层包括多个第一电极;以及,

设置在所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层,所述第二电极层包括多个第二电极;第二电极具有多个狭缝;

其中,第一电极为像素电极,第二电极为公共电极;或者,第一电极为公共电极,第二电极为像素电极;

所述像素电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,多个所述公共电极中的至少两个公共电极相互电连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010567638.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top