[发明专利]基于忆阻器的三值编码器电路在审

专利信息
申请号: 202010567524.4 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111628763A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 王晓媛;周鹏飞;吴志茹 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 忆阻器 编码器 电路
【权利要求书】:

1.基于忆阻器的三值编码器电路,包括一个正极性三值反相器,一个负极性三值反相器、一个三值非门和一个三输入的三值与门,其特征在于:

该编码器电路的第一个输入端连接至正极性三值反相器的输入端,正极性三值反相器的输出端连接至三值与门的第一个输入端;

该编码器电路的第二个输入端连接至三值非门的输入端,三值非门的输出端连接至三值与门的第二个输入端;

该编码器电路的第三个输入端连接至负极性三值反相器的输入端,负极性三值反相器的输出端连接至三值与门的第三个输入端;

三值与门的输出端作为编码器电路的输出端;

编码器电路三个输入端与一个输出端遵循以下关系:

当第一输入端为逻辑1、第二输入端和第三输入端均为逻辑0时,输出端为逻辑2;

当第二输入端为逻辑1、第一输入端和第三输入端均为逻辑0时,输出端为逻辑1;

当第三输入端为逻辑1、第二输入端和第一输入端均为逻辑0时,输出端为逻辑2;

所述的三值或非门由一个三值或门和一个三值非门组成,对于三值非门,其中0的非逻辑为2,1的非逻辑为1, 2的非逻辑为0,对于三值或门,输出为两输入的最大值;

所述的正极性三值反相器和负极性三值反相器均由NMOS管和忆阻器组成,其中NMOS管的栅极作为三值反相器的输入端,NMOS管的源极接地,NMOS管的漏极与忆阻器的正极并作为三值反相器的输出端,忆阻器的负极与电源VCC相连接,其中正极性三值反相器中的NMOS管与负极性三值反相器中的NMOS管阈值导通电压不同。

2.根据权利要求1所述的基于忆阻器的三值编码器电路,其特征在于:所述的三值非门由两个忆阻器和两个NMOS管组成,三值编码器的输入与一个NMOS管的栅极、另一NMOS管的栅极相连接;一个忆阻器的负极与电源VCC相连接,正极与一个NMOS管的漏极相连接,并作为三值非门的输出端;一个NMOS管的源极与另一个忆阻器的负极、另一个NMOS管的漏极相连接;另一个忆阻器的正极、另一个NMOS管的源极与接地端相连接。

3.根据权利要求1所述的基于忆阻器的三值编码器电路,其特征在于:所述的三值与门由三个忆阻器组成,三个忆阻器的负极作为三值与门的三个输入端,三个忆阻器的正极并联后作为三值与门的输出端。

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