[发明专利]一种氧化锆膜及其沉积方法、应用在审
| 申请号： | 202010567101.2 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112038214A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;安重镒;金成基;项金娟;李亭亭;卢一泓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 及其 沉积 方法 应用 | ||
1.一种氧化锆膜的沉积方法，其特征在于，包括：利用化学气相沉积法沉积氧化锆膜，并且在沉积时，供应锆源之前先供应环戊基甲基醚类溶剂；
所述环戊基甲基醚类溶剂为至少含有环戊基的疏水性醚类溶剂。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述环戊基甲基醚类溶剂为环戊基甲基醚。
3.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述锆源选自以下中的至少一种：Zr(DMA)2(Me)2，Zr(EMA)2(Me)2，Zr(DMA)(Me)2(Cp)，Zr(EMA)2(Cp)2，Zr(Cp)2(Me)2，Zr(Cp)(EMA)(Me)2；
其中，
Cp为环戊二烯基，
METHD为甲氧基乙氧基四甲基庚二酮酸根，
MPD为2-甲基-2,4戊二氧基，
THD为2,3,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根，
EMA为乙基甲基胺基，
DMA为二甲基胺基，
Me为甲基。
4.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，所述供应环戊基甲基醚类溶剂在200～250℃的环境中进行。
5.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，采用脉冲方式供应所述锆源；在供应所述锆源之后还依次包括：反应源吹扫、供应反应气体、反应气体吹扫。
6.根据权利要求5所述的沉积方法，其特征在于，在供应所述锆源之后还依次包括：反应源吹扫、供应反应气体、反应气体吹扫。
7.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积所用的设备为：单片式设备、集群式设备、炉管式设备或旋转式设备(Merry-go-round)。
8.半导体中电容器的制备方法，其特征在于，包括沉积电介质膜，所述电介质膜采用权利要求1-7任一项所述的沉积方法得到。
9.权利要求1-7任一项所述的沉积方法得到的氧化锆膜。
10.权利要求1-7任一项所述的沉积方法或权利要求6所述的制备方法在制备半导体器件中的应用。
11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，所述半导体器件为DRAM、2D NAND、3DNAND或LCD。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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