[发明专利]一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备

权利要求书

1.一种双图案掩膜的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成硬掩膜材料层；

在所述硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案；

以所述第一方向掩膜图案为掩膜对所述硬掩膜材料层进行刻蚀，形成沿所述第一方向延伸的第一方向图案；

在形成有所述第一方向图案的硬掩膜材料层上继续形成所述掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案，所述第二方向与所述第一方向交叉；由交叉的所述第一方向图案和所述第二方向掩膜图案形成孔图案。

2.根据权利要求1所述的双图案掩膜的制作方法，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向的夹角为30°至90°。

3.根据权利要求1所述的双图案掩膜的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案包括：

在所述硬掩膜材料层上依次沉积两组以上的第一掩膜材料组，每一组所述第一掩膜材料组均包括位于下面的下掩膜材料层和位于上面的上掩膜材料层；

依次对每一组所述第一掩膜材料组进行刻蚀，形成沿所述第一方向延伸的所述第一方向掩膜图案。

4.根据权利要求3所述的双图案掩膜的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案包括：

在所述硬掩膜材料层上自下而上依次沉积三组所述第一掩膜材料组；

在位于顶层的所述第一掩膜材料组上，形成沿着所述第一方向延伸的掩膜图案，所述掩膜图案至少包括一个条状掩膜；

在所述掩膜图案的遮挡下，对位于顶层的所述第一掩膜材料组进行刻蚀，并除去所述掩膜图案，形成顶层掩膜图案；

围绕所述顶层掩膜图案形成环绕的顶层侧墙图案；

以所述顶层侧墙图案为掩膜，对位于中间层的所述第一掩膜材料组进行刻蚀，并去除所述顶层侧墙图案，形成中间层掩膜图案；

围绕所述中间层掩膜图案形成环绕的中间层侧墙图案；

以所述中间层侧墙图案为掩膜，对位于底层的所述第一掩膜材料组进行刻蚀，并去除所述中间层侧墙图案，以形成所述第一方向掩膜图案。

5.根据权利要求1所述的双图案掩膜的制作方法，其特征在于，

所述在形成有所述第一方向图案的硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案包括：

在形成有所述第一方向图案的所述硬掩膜材料层上依次沉积两组以上的第二掩膜材料组，每一组所述第二掩膜材料组均包括位于下面的下掩膜材料层和位于上面的上掩膜材料层；

依次对每一组所述第二掩膜材料组进行刻蚀，形成沿第二方向延伸的所述第二方向掩膜图案。

6.根据权利要求5所述的双图案掩膜的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述第一方向图案的硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案包括：

在形成有所述第一方向图案的所述硬掩膜材料层上依次沉积三组所述第二掩膜材料组；

在位于顶层的所述第二掩膜材料组上，形成沿着所述第二方向延伸的掩膜图案，所述掩膜图案至少包括一个条状掩膜；

在所述掩膜图案的遮挡下，对位于顶层的所述第二掩膜材料组进行刻蚀，并除去所述掩膜图案，形成顶层掩膜图案；

围绕所述顶层掩膜图案形成环绕的顶层侧墙图案；

以所述顶层侧墙图案为掩膜，对位于中间层的所述第二掩膜材料组进行刻蚀，形成中间层掩膜图案；

围绕所述中间层掩膜图案形成环绕的中间层侧墙图案；

以所述中间层侧墙图案为掩膜，对位于底层的第二掩膜材料组进行刻蚀，形成所述第二方向掩膜图案。