[发明专利]一种薄膜制备方法

权利要求书

1.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：

向第一反应腔和第二反应腔通入第一工艺气体和第一惰性气体；所述第一反应腔中放置有第一晶圆，所述第二反应腔中放置有第二晶圆；

对所述第一反应腔和所述第二反应腔中的气体进行射频处理，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆表面进行第一镀膜操作；

停止向所述第一反应腔和所述第二反应腔通入第一工艺气体，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆表面进行第二镀膜操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一惰性气体为He，所述第二镀膜操作过程中所述第一惰性气体的流量大于所述第一镀膜操作过程中所述第一惰性气体的流量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二镀膜操作过程中所述第一惰性气体的流量超过所述第一镀膜操作过程中所述第一惰性气体的流量的范围为30％～70％。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二镀膜操作过程中所述第一反应腔的压强超过所述第一镀膜操作过程中所述第一反应腔的压强的0～50％，所述第二镀膜操作过程中所述第二反应腔的压强超过所述第一镀膜操作过程中所述第二反应腔的压强的0～50％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二镀膜操作的持续时间范围为2～30s。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，在将所述第一晶圆置入所述第一反应腔中，以及将所述第二晶圆置入所述第二反应腔中之前，所述方法还包括：

向第一反应腔和第二反应腔通入第二工艺气体和第二惰性气体，并对所述第一反应腔和所述第二反应腔中的气体进行射频处理，以在所述第一反应腔和所述第二反应腔中形成环境膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一反应腔和所述第二反应腔中形成环境膜之后，在将所述第一晶圆置入所述第一反应腔中，以及将所述第二晶圆置入所述第二反应腔中之前，所述方法还包括：

向所述第一反应腔和所述第二反应腔通入第二惰性气体，并对所述第一反应腔和所述第二反应腔中的气体进行射频处理，以对所述第一反应腔和所述第二反应腔进行清洗。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体为烃类化合物，所述第一晶圆和所述第二晶圆表面形成含碳的无定形陶瓷薄膜。

9.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体通过第一工艺气体进气通道通入所述第一反应腔，通过第二工艺气体进气通道通入所述第二反应腔，所述第一工艺气体进气通道和所述第二工艺气体的进气通道具有一致的结构和尺寸；所述第一惰性气体通过第一清洗气体进气通道通入所述第一反应腔，通过第二清洗气体进气通道通入所述第二反应腔，所述第一清洗气体进气通道和所述第二清洗气体进气通道具有一致的结构和尺寸。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体进气通道和所述第二工艺气体进气通道分别与工艺气体进气管路连通，所述第一清洗气体进气通道和所述第二清洗气体进气通道的进气口分别与远程等离子体发生器连通。