[发明专利]一种半导体清洗设备

说明书

本发明提供一种半导体清洗设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的承载台，承载台用于承载待清洗件，半导体清洗设备还包括：至少一个第一喷淋头，设置于承载台的上方；至少一组清洗液供应组件，均与第一喷淋头连通，用于向第一喷淋头提供清洗液；以及，至少一组第一等离子体供应组件，均与第一喷淋头连通，用于向第一喷淋头提供第一等离子体。在本发明中，第一等离子体与清洗液通过第一喷淋头同步喷射至晶圆表面，从而能够及时消除清洗液与高速旋转的晶圆摩擦产生的电荷，提高了等离子体的利用率以及消除晶圆表面静电的效率。

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体地，涉及一种半导体清洗设备。

背景技术

在半导体清洗工艺中，晶圆与清洗液等材料之间摩擦时极容易产生静电，损伤晶圆上的微图形物理结构或导致器件关键性能失效。

因此，现有的半导体清洗设备中通常设置有电荷消除装置，用于产生等离子体等物质，以中和并去除晶圆表面的电荷。

然而，现有的半导体清洗设备通常无法稳定去除晶圆表面的电荷，晶圆在加工过程中受损概率较高，产品良率低。

因此，如何提供一种能够有效消除晶圆表面电荷的半导体清洗设备，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体清洗设备，该半导体清洗设备能够有效消除晶圆表面的静电。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体清洗设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载台，所述承载台用于承载待清洗件，所述半导体清洗设备还包括：

至少一个第一喷淋头，设置于所述承载台的上方；

至少一组清洗液供应组件，均与所述第一喷淋头连通，用于向所述第一喷淋头提供清洗液；以及，

至少一组第一等离子体供应组件，均与所述第一喷淋头连通，用于向所述第一喷淋头提供第一等离子体。

优选地，所述第一喷淋头具有至少一个第一喷射口和至少一个第二喷射口，其中，所述第一喷射口均与所述清洗液供应组件连通，用于向所述待清洗件喷淋所述清洗液，所述第二喷射口均与所述第一等离子体供应组件连接，用于向所述待清洗件喷淋所述第一等离子体。

优选地，所述第一等离子体供应组件包括第一气体管路和第一等离子体发生器，所述第一等离子体发生器与所述第一喷淋头连通，所述第一等离子体发生器能够将所述第一气体管路中的气体转化为所述第一等离子体。

优选地，还包括功率控制单元，且所述承载台可旋转，所述功率控制单元能够根据所述承载台的转速调整所述第一等离子体发生器的功率，使得所述第一等离子体发生器的功率与所述承载台的转速正相关。

优选地，还包括与所述第一喷淋头一一对应设置的第一摆臂，且所述第一喷淋头固定连接在所述第一摆臂上，所述第一摆臂用于改变所述第一喷淋头与所述承载台之间的相对位置。

优选地，还包括至少一个第二喷淋头和至少一组第二等离子体供应组件，所述第二喷淋头设置在所述承载台的上方，且相对所述承载台位置固定；所述第二等离子体供应组件用于向所述第二喷淋头提供第二等离子体。

优选地，所述第二等离子体供应组件包括第二气体管路和第二等离子体发生器，所述第二等离子体发生器与所述第二喷淋头连通，所述第二等离子体发生器能够将所述第二气体管路中的气体转化为所述第二等离子体。

优选地，所述第二喷淋头的喷射方向均与所述承载台的承载面之间的夹角为0°至60°。

优选地，所述清洗液供应组件用于向所述第一喷淋头提供去离子水，所述第一等离子为氮气等离子体。

优选地，所述半导体清洗设备还包括化学药液喷淋装置，用于向所述待清洗件表面喷淋化学药液。