[发明专利]具有改善栅极漏电流的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

衬底(2)；

第一氮化物半导体层(4)，位于所述衬底上方；

第二氮化物半导体层(5)，位于所述第一氮化物半导体层上方且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙(energy band gap)；

源极接触及漏极接触，位于所述第二氮化物半导体层上方；及

经掺杂第三氮化物半导体层(8)，位于所述第二氮化物半导体层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间，所述经掺杂第三氮化物半导体层具有邻近所述源极接触的第一侧壁(81a)﹑邻近所述漏极接触的第二侧壁(82)，及在大体上平行于所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体层介面的方向上，位于所述第一侧壁及所述第二侧壁之间的第三侧壁(81b)；

及

栅电极，位于所述经掺杂第三氮化物半导体层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述方向上，所述第三侧壁位于所述第一侧壁与所述栅电极之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在垂直于所述方向上，所述第三侧壁与所述第一侧壁的高度比为0.5至2。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在所述方向上，所述栅电极到所述第一侧壁的最短距离与所述栅电极到所述第二侧壁的最短距离比大于1。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述方向上，所述第三侧壁位于所述栅电极与所述第二侧壁之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中在垂直于所述方向上，所述第三侧壁与所述第二侧壁的高度比为0.5至2。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中在所述方向上，所述栅电极到所述第二侧壁的最短距离与所述栅电极到所述第一侧壁的最短距离比大于1。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一侧壁、第二侧壁或第三侧壁的任一切面与所述方向的夹角为30至150°。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述经掺杂第三氮化物半导体层另具有不同于第三侧壁的第四侧壁，所述第四侧壁在所述方向上，位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括钝化层，位于至少部分地所述第二氮化物半导体层上方及至少部分地所述经掺杂第三氮化物半导体层上方，其中所述钝化层与所述第三侧壁直接接触。

11.一种半导体装置，包含：

衬底；

第一氮化物半导体层，位于所述衬底上方；

第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层上方且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙(energy band gap)；及

源极接触及漏极接触，位于所述第二氮化物半导体层上方；及

经掺杂第三氮化物半导体层，位于所述第二氮化物半导体层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间；

及

栅电极，位于所述经掺杂第三氮化物半导体层上方；

其中所述经掺杂第三氮化物半导体层具有与所述栅电极接触的第一表面(84)、与所述第二氮化物半导体层接触的第二表面(85)、及在大体上垂直于所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体层介面的第一方向上，位于所述第一表面及所述第二表面之间的第三表面(86)，所述第三表面在大体上平行于所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体层介面的第二方向上延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中在所述第二方向上，所述第三表面位于所述源极与所述栅电极之间或位于所述栅电极与所述漏极之间。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中在所述第二方向上，所述第三表面的正射影范围与所述第一表面的正射影范围重叠。