[发明专利]多功能存储电路和集成电路芯片

说明书

多功能存储电路和集成电路芯片，涉及集成电路技术，本发明的多功能存储电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管，第四反相器和第五反相器，各MOS管的衬底接地。本发明通过配置可分别实现SRAM、RAM、ROM、锁存器、触发器以及移位寄存器等功能，增强FPGA的灵活性和资源利用率、提高FPGA的功能/面积比，有利于亿门级FPGA芯片的集成。

技术领域

本发明涉及集成电路技术。

背景技术

随着FPGA的工艺特征尺寸越来越小、集成度规模迈向亿门级，如何提高FPGA芯片的功能/面积比，一直是FPGA厂商最关心的问题。现有技术中，芯片内的电路模块大多是依据功能划分，以特定的电路模块实现特定的功能，在集成电路中，功能越多则电路面积越大，不利于芯片的微型化。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够实现多功能复用的基本存储电路，以及带有前述存储电路的集成电路芯片。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，多功能存储电路，包括：

第一MOS管，其电流输出端接地,栅端接第一外部连接端；

第二MOS管，其电流输出端接第一外部连接端，电流输入端接第三外部连接端，栅端接第二外部连接端；

第三MOS管，其电流输出端接第一MOS管的电流输入端，电流输入端接第一参考点，栅端接第二外部连接端；

第六MOS管，其电流输出端接第四外部连接端，电流输入端接第三外部连接端，栅端接第五外部连接端；

第七MOS管，其电流输出端接第九外部连接端，电流输入端接第一参考点，栅端接第五外部连接端；

第八MOS管，其电流输出端接第六外部连接端，电流输入端接第四外部连接端，栅端接第七外部连接端；

第九MOS管，其电流输出端接第八外部连接端，电流输入端接第九外部连接端，栅端接第七外部连接端；

第四反相器，其输入端接第三外部连接端，输出端接第一参考点；

第五反相器，其输出端接第三外部连接端，输入端接第一参考点；

以上各MOS管的衬底接地。

本发明还提供带有前述多功能存储电路的集成电路芯片。

本发明通过配置可分别实现SRAM、RAM、ROM、锁存器、触发器以及移位寄存器等功能，增强FPGA的灵活性和资源利用率、提高FPGA的功能/面积比，有利于亿门级FPGA芯片的集成。

附图说明

图1是本发明的电路图。

具体实施方式

参见图1。

本发明的集成电路芯片内置有多功能存储电路，所述多功能存储电路包括：

第一MOS管101，其电流输出端接地，栅端接第一外部连接端SHIFT_IN；

第二MOS管102，其电流输出端接第一外部连接端SHIFT_IN，电流输入端接第三外部连接端SHIFT_OUT，栅端接第二外部连接端CLK_SHIFT；

第三MOS管103，其电流输出端接第一MOS管的电流输入端，电流输入端接第一参考点P，栅端接第二外部连接端CLK_SHIFT；

第六MOS管106，其电流输出端接第四外部连接端BLN，电流输入端接第三外部连接端SHIFT_OUT，栅端接第五外部连接端WL；