[发明专利]一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法

权利要求书

1.一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，具体步骤为：

在硅衬底（200）表面形成牺牲层（201），而后在所述牺牲层（201）上外延生长Si材料（202），在所述Si材料（202）表面形成第三绝缘介质（203）、籽晶层（204），并粘附第一载体（205）；选择性腐蚀所述牺牲层（201），使所述Si材料（202）与所述硅衬底（200）分离，并将Si材料（202）作为基底；

光刻、刻蚀所述Si材料（202），形成硅通孔；

在所述硅通孔的侧壁和所述基底的下表面依次沉积第一绝缘介质（206）、扩散阻挡层（207），光刻、刻蚀去除所述硅通孔顶部的第三绝缘介质（203）；

形成导电金属（208），使其完全填充所述硅通孔；沉积一层介质薄膜（209），作为第二绝缘介质层；随后，去除导电金属（208）表面的介质薄膜（209）；

在所述导电金属（208）底部形成粘附层/种子层叠层薄膜（210），并在所述叠层薄膜上形成C4凸点（211）；在所述基底下方粘合第二载体（212），然后去除所述基底上方的所述籽晶层（204）和所述第一载体（205），在所述导电金属（208）顶部形成粘附层/种子层叠层薄膜（213），并在所述叠层薄膜上形成微凸点（214）；

去除所述第二载体（212）。

2. 根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述Si材料的厚度为5~50 μm。

3.根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述牺牲层为SiGe、SiC、GaAs、InP、AlGaAs中的任一种，或其中几种的组合。

4. 根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为1~5 μm。

5.根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述导电金属为Cu。

6.根据权利要求5所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述籽晶层为Cu、Ru、Co、CuRu合金、CuCo合金中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述扩散阻挡层为TaN、TiN、ZrN、MnSiO₃中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介质为SiO₂、Si₃N₄、SiON、SiCOH、SiCOFH中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法，其特征在于，所述第二绝缘介质、所述第三绝缘介质为Si₃N₄、SiON、SiC中的至少一种。