[发明专利]存储器系统、计算机系统及其数据管理方法在审

专利信息
申请号: 202010562294.2 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN112445423A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 韩美仙;金明瑞;文允晶;林義哲 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/0871
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵赫;张澜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 计算机系统 及其 数据管理 方法
【说明书】:

本公开涉及一种存储器系统,该存储器系统包括:第一存储器装置,该第一存储器装置包括第一存储器,该第一存储器包括多个访问管理区域并且具有第一访问延迟,多个访问管理区域中的每一个包括多个页面,该第一存储器装置被配置为从多个访问管理区域中检测访问计数达到预设值的热访问管理区域,并且检测该热访问管理区域中包括的一个或多个热页面;以及第二存储器装置,该第二存储器装置具有第二访问延迟,第二访问延迟不同于第一存储器装置的第一访问延迟。将一个或多个热页面中存储的数据迁移到第二存储器装置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0105263的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种计算机系统,并且更特别地,涉及一种包括异构存储器的存储器装置(或存储器系统)、包括该存储器装置的计算机系统及其数据管理方法。

背景技术

计算机系统可以包括具有各种形式的存储器装置。存储器装置包括用于存储数据的存储器和用于控制存储器的操作的存储器控制器。存储器可以包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)等的易失性存储器,或者诸如电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、闪速存储器等的非易失性存储器。当停止供电时,易失性存储器中存储的数据会丢失,然而,即使停止供电,非易失性存储器中存储的数据也不会丢失。近来,正在开发安装有异构存储器的存储器装置。

此外,易失性存储器具有较高的操作速度,而非易失性存储器具有相对较低的操作速度。因此,为了提高存储器系统的性能,需要将频繁访问的数据(例如,热数据)存储在易失性存储器中,并且需要将不频繁访问的数据(例如,冷数据)存储在非易失性存储器中。

发明内容

各个实施例提供一种包括可以提高操作性能的异构存储器的存储器装置(或存储器系统)、包括该存储器装置的计算机系统及其数据管理方法。

在实施例中,一种存储器系统包括:第一存储器装置,该第一存储器装置具有第一存储器,该第一存储器包括多个访问管理区域并且具有第一访问延迟,多个访问管理区域中的每一个包括多个页面,该第一存储器装置被配置为从多个访问管理区域中检测访问计数达到预设值的热访问管理区域,并且检测该热访问管理区域中包括的一个或多个热页面;以及第二存储器装置,该第二存储器装置具有第二访问延迟,该第二访问延迟不同于第一存储器装置的第一访问延迟。将一个或多个热页面中存储的数据迁移到第二存储器装置。

在实施例中,一种计算机系统包括:中央处理单元(CPU);以及存储器系统,该存储器系统通过系统总线电联接到CPU。该存储器系统包括:第一存储器装置,该第一存储器装置具有第一存储器,该第一存储器包括多个访问管理区域并且具有第一访问延迟,多个访问管理区域中的每一个包括多个页面,该第一存储器装置被配置为从多个访问管理区域中检测访问计数达到预设值的热访问管理区域,并且检测该热访问管理区域中包括的一个或多个热页面;以及第二存储器装置,该第二存储器装置具有第二访问延迟,该第二访问延迟不同于第一存储器装置的第一访问延迟。将一个或多个热页面中存储的数据迁移到第二存储器装置。

在实施例中,一种计算机系统的数据管理方法,包括:由CPU向第一存储器装置传送热访问管理区域检查命令,以检查第一存储器装置的第一存储器中是否存在热访问管理区域;由第一存储器装置响应于热访问管理区域检查命令,向CPU传送第一响应或第二响应,该第一响应包括与热访问管理区域中的一个或多个热页面有关的信息,该第二响应指示第一存储器中不存在热访问管理区域;并且当从第一存储器装置接收到第一响应时,由CPU将数据迁移命令传送到第一存储器装置和第二存储器装置,以将第一存储器的一个或多个热页面中存储的热数据与第二存储器装置的第二存储器中的冷数据交换,该第一存储器装置具有长于该第二存储器装置的访问延迟。

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