[发明专利]半导体器件以及制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供设置有多个导电硅通孔的晶圆，其中，所述晶圆包括相背设置的正面和背面，所述硅通孔自所述正面向所述背面延伸，且非贯通所述背面，所述硅通孔朝向所述背面一侧设置有第一绝缘层；

使所述晶圆的所述正面朝下，研磨所述晶圆的所述背面，以使所述第一绝缘层露出；

去除所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述去除所述第一绝缘层之前，还包括：在所述晶圆的所述背面以及露出的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

所述去除所述第一绝缘层包括：去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材质相同，所述去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，包括：

利用同一去除工艺去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质不同，所述去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，包括：

利用第一去除工艺在所述第二绝缘层上形成第一开口，所述第一开口的位置与所述硅通孔的位置对应，且所述第一开口的尺寸大于所述硅通孔的尺寸；

利用第二去除工艺去除所述第一开口位置处的所述第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供设置有多个导电硅通孔的晶圆，包括：

在所述晶圆的所述正面形成非贯通的多个凹槽；

在所述凹槽的底部形成所述第一绝缘层；

在所述凹槽内形成溅射金属层；

在所述溅射金属层上形成金属柱，所述金属柱填充满所述凹槽，且与所述晶圆的所述正面齐平，其中，所述溅射金属层和所述金属柱形成所述硅通孔。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，

在研磨所述晶圆的所述背面之前，所述第一绝缘层的厚度为5-10微米。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使所述晶圆的所述正面朝下，研磨所述晶圆的所述背面，以使所述第一绝缘层露出，包括：

使所述晶圆的所述正面朝下，研磨所述晶圆的背面，直至所述第一绝缘层刚露出；或，

使所述晶圆的所述正面朝下，研磨所述晶圆的背面，直至研磨掉部分所述第一绝缘层。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

晶圆，设置有贯通所述晶圆的正面和背面的多个导电硅通孔，所述硅通孔的高度小于所述正面和所述背面之间的距离，且所述晶圆的所述正面位于下方时，所述硅通孔靠近所述背面的一侧表面低于所述背面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

所述硅通孔靠近所述背面的一侧表面与所述背面之间的高度差为5-10微米。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

绝缘层，位于所述晶圆的所述背面，且对应所述硅通孔的位置设置有过孔。