[发明专利]氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管在审
| 申请号： | 202010560048.3 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113823568A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化锌 薄膜 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
配制氧化锌颗粒和卤离子有机盐的混合溶液；
将所述混合溶液沉积在基板上，退火处理，制备氧化锌薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述卤离子有机盐选自碘化铵、二甲基碘化铵、N,N-二甲基亚甲基碘化铵、四乙基碘化铵中的至少一种。
3.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中，所述卤离子有机盐的质量为所述氧化锌颗粒的质量的1％-5％。
4.如权利要求1至3任一项所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为80℃-120℃，时间为0.5-2小时。
5.如权利要求1至3任一项所述的氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锌颗粒为氧化锌纳米颗粒；和/或
所述混合溶液的制备方法为：
提供锌盐溶液，在所述锌盐溶液中加入碱源，反应0.5-2小时后，加入所述卤离子有机盐，混合1-4小时。
6.一种氧化锌薄膜，其特征在于，所述氧化锌薄膜由权利要求1至5任一项所述制备方法制备获得。
7.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层；其中，所述电子传输层为氧化锌薄膜，且所述氧化锌薄膜由权利要求1至5任一项所述制备方法制备获得。
8.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层。
9.如权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种。
10.如权利要求7至9任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：设置在所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
